场效应管(FET)介绍.pptVIP

1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.制程及工艺 4.基本特性 5.应用 6.常见失效模式及案例分析 7.Derating标准及其测试方法 2.1. 分类、命名、标识、结构 首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区（可变电阻区）。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。此区域称为饱和导通区（恒流区）。当VDS过大则进入击穿区。 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)或Vp表示。n沟道JFET的情况，则VGS (off) 值为负,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难。因此实际应用中将达到ID =0.1～10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。 关于JFET为什么表示这样的特性，用图4.1.2作以下简单的说明。? 6.1 Derating参数标准及其测试方法 B.漏极电流ID@25°C On-state Drain Current 此参数为MOSFET在本体温度25 °C时正常工作的最大电流 ID由以下参数影响 RDS（0n)---开启状态的阻抗、Pd 封装的 最大功耗、Die size、Maximum junction temperature 以SFP50N06（60V、50A）为例 150 - TC IDRMS (max) = { ————————}1/2 Rthj-c * RDS(on) Rthj-c=1.15、Tc＝case temperature、150 ℃＝最大结温 RDS(on)= Tj @150 ℃的稳定漏源阻抗 H . IAR(A) / EAR (mJ) : Avalanche current / Repetitive Avalanche Energy 雪崩电流/反复雪崩能量，此参数同样是MOSFET用于感性负载。IAR等于ID,EAR为计算值，定义为25 ℃ 条件下 的功耗乘以100us(导通时间) I. dv/dt (V/ns) POWER MOSFET 关断的瞬间，VDS斜率的急速增大很有可能造成器件 的损坏。因此定义dv/dt如同保持电容的参数来描述关断时电压斜率的 急速上升对元器件的影响，实际应用中有两个类型的dv/dt.一种就是关断 瞬间的dv/dv,另一种是在类似半桥，全桥拓扑构架中二极管的恢复db/dt. 参考图三和图四，以及所附波形图更利于理解dv/dt。   在公式3中如果VBE接近于0.7V。发射结正偏，双极型三极管将导通。在高dv/dt和大RB的情况下，MOSFET将随着BJT的BVCBO参数进入雪崩模式，直至损坏。 K. 二极管恢复dv/dt 此参数定义为VDS的过高斜率导致寄生二极管反向恢复失效的dv/dt 这种失效模式通常在全桥或半桥开关驱动感性负载的情况下发生，描述 如下，在图五所示的半桥回路，下边的MOSFET导通时电流流过，而当 下边的MOSFET截止时，电流从上边的MOSFET的寄生二极管流过。 如果在恢复时间内，VDS的dv/dt超过rating值，I2增加，这样寄生BJT 开启，最后器件损坏。同时，反向恢复电流与VDS产生的功耗也会 引起器件损坏。 M. Thermal resistance(热阻) MOSEFT 必须工作在限定的热量范围，结温不能超过Spec规定的150 ℃或175 ℃。此参数影响到POWER MOSFET的散热状况，决定了MOSFET的最大功耗以及ID。 Thermal resistance由封装形式，结构，die size，RDS(on)决定。 Thermal resistance(热阻)值越低，散热性能越好 Rthjc : Thermal resistance from junction to case，这是理想状态下的热阻，假设本体温度为25 ℃，采用无限大的散热片。此值