-硅材料中碳氧杂质行为.pptVIP

新施主 硅样品在550-800℃温度区间长时间加热后，会出现新的和氧有关的施主现象 新施主的形成速率较慢， 新施主与间隙氧的沉淀密切相关 硅中的碳杂质会促进新施主形成 *碳氧行为 1 热施主的危害 使电阻率失真 单晶硅锭头部与尾部氧含量不同，造成电阻率马鞍型分布，高温退火后的消除 热施主效应 *碳氧行为 1 氧的测定 Si-O-Si键在红外光谱上形成多个吸收峰 强峰： (9um) 1136 cm-1, ( 8um) 1203 cm-1, ( 19um) 517 cm-1 其它峰： 29.3 cm-1, 37.8 cm-1, 43.3 cm-1, 47.0 cm-1 其中9um峰是最强峰，在室温下位置是1107cm-1 含氧硅的红外光谱图 *碳氧行为 1 氧的测定 Kaiser，1956年发现红外吸收光谱中1107cm-1吸收峰强度与间隙氧浓度呈线性关系 C 转换系数，取3.14 ? 吸收系数，通过下式计算 I0 基线强度 I 吸收峰强度 d 样品厚度（cm） 硅中间隙氧的红外光谱峰变化 红外光谱法是测定硅中氧含量的常规方法 *碳氧行为 1 红外光谱测定氧的注意事项 红外光谱测定的是间隙氧量，测定前需要对样品高温处理得到间隙氧 因为硅的晶格吸收会造成1107cm-3附近峰重叠，需要用纯净硅片做参比样品 样品表面质量影响测试精度，样品需要双面精细的机械和化学抛