低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池.pdfVIP

增刊 太 阳 能 学 报 Suppl婴?t SINIm Apr，2003 2003年4月 A口AENERGIAESOI。ARIS 04 文章编号：02s4I)096(2003)增刊一0031 低成本衬底上快热CvD法制备晶体硅薄膜电池 梁宗存1一，沈 辉1一，胡芸菲1，许宁生2 5 (1中国科学院广州能源研究所，广州510070；2中山大学物理系，广卅IL0275) 高转换效率为74％，，F路电压488mv，短路电流21．91mA／a评，填充因子0697。外延晶体硅薄膜电池暗特性表明： 品体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流f02和片并联阻R一外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收 集率在长渡方向比较低，鼍子效率最大值的波长范围大约在500nm。 关键词：晶体硅薄膜电池；颗粒硅带；决热化学气相沉积；沉积；衬底 中国分类号：’l、K514 文献标识码：A 池的厚度，可以大大降低硅材料的消耗，而且可快速 0前言 大面积沉积薄膜甚至至组件面积。而硅元素丰富， 目前占据光伏市场主导地位的是晶体硅电池 无毒，电池工艺成熟，具有较高的转换效率等特点。 一～单晶硅电池和多晶硅电池，两者各自占据着约 除此以外，薄膜电池的特点还表现为：由长波光子产 43％和39％的光伏市场。在晶体硅电池组件中硅生的载流子在薄膜电池中较容易在复合前收集到， 片材料占据总成本的50％左右，晶体硅电池所用硅 从而增大短路电流；另外，如果忽略表面复合，由于 片是南拉制或浇铸的硅锭切割而成，因此，硅材料成 薄膜电池中体复合远远小于晶体硅电池的复合，从 本包括了原始硅材料、晶化过程和硅片切割等。由 而降低了饱和暗电流，因此薄膜电池可以具有较高 于晶硅电池制备技术已经比较成熟，所以要大幅降 的开路电压和填充因子，从而具有较高的电池转换 低成本必须从材料人手。因此，对于晶体硅电池要 效率。但晶体硅薄膜电池存在着一个问题：与其它 想进一步降低成本的关健因素是减少所用硅片的厚 薄膜电池材料不同，硅是非直接带隙半导体，为了最 度，从而降低硅材料的消耗。模拟表明，硅片的厚度 大限度地吸收和转换太阳光谱，通常需要较厚的活 最低日f以降至10～30肿，但由于此时薄膜厚度不性层。这样就需要薄膜电池工艺采取有效的限光措 能再自我支撑，需要适合的衬底来支撑薄膜，薄膜可 施以弥补硅片厚度减薄后所造成的光谱损失和快速 以通过不同的方法沉积到衬底上。这样通过将硅薄 的沉积技术。因此，只有薄膜电池衬底成本和薄膜 膜直接沉积到合适的低成本衬底上，不仅可以降低 沉积技术成本低于体硅成本时，它才能在经济上是 硅材料的消耗还可避免了晶化和切割等成本以及硅 可行的，国外还没有建立起人们所接受的适合的衬 材料的损失。由此制作的晶体硅薄膜电池被看作是 底和沉积技术。目前在高温下晶体硅薄膜沉积主要 光伏第二代，被认为是最有可能取代常规的体硅电 有两种基本方法：液相外延法(IPE)11。23和化学气 池，在近十几年来引起人们极大兴趣并得到广泛的 相沉积法(CVD)【3。4J。由于快热化学气相沉积 研究。 (RTCⅧ)具有薄膜沉积速度快，可大面积沉积薄膜 晶体硅薄膜电池之所以得到普遍的重视是由于 及较容易得到较大颗粒的薄膜而得到普遍采用。 它将晶体硅电池工艺优点和薄膜电池的优势有机的 本文采