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准一维电子通道中的声电电流1 康建锋 张林 李文 李玲 杨丽娟 高洁 （四川大学物理科学与技术学院，成都 610064） 摘 要：利用分裂栅技术在GaAs/Al Ga As异质结中产生准一维电子通道，在 20 K下，研究 x 1-x 了准一维电子通道不同源漏电压时，源漏电流与分裂门负电压的关系。并且在极低温（0.352 K）条件下，观察到表面声波搬运电子通过准一维电子通道产生的声电电流。利用这一现象 研究了叉指换能器的频率响应，得到差指换能器的共振频率。 关键词：分裂栅，声表面波，声电电流，叉指换能器 1．引 言 近年来，表面声波（SAW ）通过压电效应与GaAs/Al Ga As异质结中二维 x 1-x 电子气（2DEG ）的相互作用受到越来越多的关注[1-12]。表面声波与2DEG 电子相 互作用将动量传给电子，表面声波振幅发生衰减，速度发生变化。电子在大量 SAW声子的碰撞下，沿着SAW传播方向以声速定向移动，在闭合线路中产生一 个直流电流，在开路中产生一个直流电压。因而可以通过研究直流电流或直流电 压来研究SAW经过压电衬底表面产生的行波电场和2DEG 电子的相互作用。随着 研究的深入，在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面制作肖特基分裂栅(split gate)[1-8]如图 1 ，当分裂栅相对 2DEG 为负电压时，由于静电势场的作用，分裂栅下面 GaAs/AlxGa1-xAs异质结2DEG 中形成两片没有电子的区域－耗尽区，电压越负， 耗尽区面积越大。当分裂栅负电压负到一定程度时，在2DEG 中形成一个很窄的 通道，称为准一维电子通道。通道的宽度随分裂门负电压的变化而变化，当负偏 压达到一定高度时，准一维电子通道被钳断。1996 年剑桥大学卡文迪许实验室 的Pepper小组[2, 3]发现，在极 低温 （大约0.3 K ）条件下， 肖特基分裂栅 叉指换能器（IDT ）激发的 SAW 通过濒于钳断的准一 静电场耗尽区 维电子通道时，产生了量子 两维电子气 化的声电电流，该电流大小 图1 准一维电子通道 为nfe ，其中n为正整数，f 为SAW频率，e是电子电荷。 1高等学校博士点专项科研基金（NO.20020610050） -1- 在本文中，在本文中，通过给准一维电子通道加不同的源漏偏置电压，通过给准一维电子通道加不同的源漏偏置电压，测出分裂栅不同测出分裂栅不同 负电压下的源漏电流，发现绝对温度负电压下的源漏电流，发现绝对温度2020 K K 下分裂栅的钳断为－下分裂栅的钳断为－4.254.25 伏，分裂栅伏，分裂栅 负电压比钳断电压更负不同源漏电压下的源漏电流都为负电压比钳断电压更负不同源漏电压下的源漏电流都为00 。。在此基础上，在此基础上，给叉指给叉指 换能器耦合上微波信号，换能器耦合上微波信号，改变微波信号的频率，改变微波信号的频率，测出不同频率下，测出不同频率下，叉指换能器激叉指换能器激 发的表面声波通过准一维电子通道时搬运电子形成的电流，发现叉指换能器在发的表面声波通过准一维电子通道时搬运电子形成的电流，发现叉指换能器在 1.13 GHz1.13 GHz 附近有个共振峰，这与设计的附近有个共振峰，这与设计的1 GHz1 GHz 吻合得相当好。吻合得相当好。 22 样品和测量装置样品和测量装置 图图22 给出样品的示意图。给出样品的示意图。77K77K下，下，样品样品GaAs/AlGaAs/Al GaGa AsAs异质结的载流子浓度为异质结的载流子浓度为