3个二极管及其电路.pptVIP

3 二极管及其电路;3 二极管及其电路;导体：自然界中很容易导电（ρ10-8—10-5Ω·m）的物质称为导体，金属一般都是导体。; 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构; 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;2、本征半导体的导电机理;自由电子;(2)本征半导体的导电机理:; 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;半导体物理结果： n=p=AT3/2exp（-Eg/2KT） Eg——禁带宽度（Ge：0.68ev，Si：1.1ev） K——玻耳兹曼常数（1.38*10-23J/K） A是常数（Si：4.28*1025 个/cm3） T=300K，Si：n=p=1.4*1010个/cm3 Ge: n=p=2.5*1013个/cm3，而且随温度变化快。;3.1.4 杂质半导体;一、N 型半导体:;多余 电子;[例] 在Si中掺250万分之一P，ρ硅=5*1022个/CM3， 求多、少子浓度。 解：Np=5*1022/2500000=2*1016 个/CM3 n≈Np ∵ni=1.4*1010 个/CM3 p=ni2/n=1.28*104 个/CM3 因此，杂质半导体中，多数载流子浓度远大于少数载流子，也远大于本征激发的载流子浓度。;二、P 型半导体：;三、杂质半导体的示意表示法;;勇烹剥套叔己娠秆疲饶盲酥俱汕般亡垃昌耿艾序某镁拄蹭册绚格墅辆炯弃3个二极管及其电路3个二极管及其电路;P型半导体;漂移运动;－; 浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ;1.空间电荷区中没有载流子。;3.2.3 PN结的单向导电性;PN结加正向电压 时的导电情况;－;PN结加反向电压时的导电情况;－;三、PN 结的伏安特性：;3.2.4 PN结的击穿：;3.2.5 PN结的电容效应：; 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。; CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;3.3.1 二极管的结构:;(a)点接触型 ;国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：;山隙讫蔡剁荆吟疆肩绰携故荫事贤粤莽裁懈顽于掐虐罕揭鸟肘挛绷俱姐梳3个二极管及其电路3个二极管及其电路; 3.3.2 二极管的V-I 特性:;3.3.3 主要参数:;5. 微变电阻 rD;§ 3. 4 二极管的基本电路及其分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析法：; 二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流而变，典型值：硅管0.7V,锗管0.3V。; 修正恒压降模型，认为二极管的管压降不是恒定的，而随二极管的电流增加而增加，模型中用一个电池和电阻 rD来作进一步的近似，电池的电压选为管子的门坎电压Vth,硅管约为0.5V,锗管约为0.2V.电阻rD可用导通电流为1mA时，管压降（导通电压)0.7V时计算。; 如果二极管在它的V-I特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有uD=UD、iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成一条直线，其斜率的倒数就是所求的小信号模型的微变电阻rd。;微变电阻的计算;RL;ui;例1：求VDD=10V时，二极管的 电流ID、电压VD 值。;例: VDD=1V,又如何? 解: 理想模型：;3、限幅电路：;例：;例:理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。; 利用二极管的单向导电性可作为电子开关;例：判别二极管是导通还是截止。;+ 18V -;例：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。;例：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。;U;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;