晶圆化学机械抛光中保持环压力有限元分析.pdf

0 2007 20 7年8月 西北工业大学学报 Aug． ofNorthwestern Journal Polyteehnieal V01．25No．4 第2j卷第4期 University 晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析 黄杏利1，傅增祥2，杨红艳2，马彬睿2 710072) (1西北工业大学材料科学与工程学院；2．西北工业大学生命科学院，陕西西安 摘要：在集成电路(IC)行业中，化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术。随着晶圆直径的 增加，程CMP加工过程中，晶圆边缘容易出现“过磨(overgrinding)”现象，降低了平坦度和晶圆利 用率。在晶圆外部施加保持环可以把晶圆中心处和边缘处的抛光垫压平到一致高度，克服晶圆边缘 的“过磨”现象。由此说明，保持环上施加的压力起着至关重要的作用。在实际中，晶圆和CMP工艺 成本高，依靠实验探索cMP加工后晶圆边缘效应的规律不可行，所以保持环压力不宜通过实验方 法确定，需要借助其它方法预测该压力。文中采用有限元模拟的方法分析保持环压力，得出了保持 环压力与晶圄压力比值的最优值，并且研究了晶圆与保持环的间隙对最优压力的影响规律。针对不 同CMP工艺．保持环压力能够迅速确定，从而提高晶圆抛光质量及利用率，降低晶圆制造成本。 关键词：化学机械抛光(cMP)，晶固，保持环，有限元方法(FEM) 中图分类号：TN302；TN305．99文献标识码：A mechanical 化学机械抛光(chemical polish，这些特性才能实现。文献E21介绍了5种保持环材 CMP)技术是制备品圆的关键步骤，它能满足晶圆 所必须的严格的工艺控制、高质量的表面外形及平 面度。CMP系统是由旋转的晶圆夹持器、承载抛光 垫的工作台和抛光液供给装置3大部分组成。晶圆 立式实验机，实验结果表明，PC和PPS的摩擦系数 以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳 米磨粒和化学溶液组成的抛光液在晶圆与抛光垫之 间流动，并产生化学反应，晶圆表面形成的化学反应 物由磨粒的机械作用去除，实现机械磨削和化学腐 擦系数最低，磨损量比其它所有材料低出10倍以 蚀双重作用的抛光。背膜是介于晶圆和夹持器之间 上。另外，PEEK还能够满足一系列关键的要求，包 的一层弹性薄膜，确保晶圆上表面受力均匀o]。 括强度、耐热性以及与抛光液成份的兼容性等。因 目前，为了增大芯片产量，降低制造成本，晶圆 此，CF／PEEK是目前最理想的保持环材料。国外从 直径不断增大；另外，为了提高集成电路的集成度， 晶圆的刻线宽度越来越细，晶圆表面精度也越来越 持环，保持环寿命提高了3倍以上，大大降低了由于 高。对于150mm直径以上的晶圆，容易在晶圆边缘 更换保持环造成的停工时间，降低了晶圆的制造成 形成“过磨”现象，降低了抛光质量和晶圆利用率。在 本。 晶圆外添加一个保持环可以解决这问题，它可以把 但是，保持环上压力和保持环与晶圆的问隙对 边缘的抛光垫和晶圆以下的抛光垫压平到同一高 晶圆抛光质量的影响规律尚不明确，实际设计时难 度。由此可见，保持环上的压力大小至关重要。 以确定最佳方案。本文采用有限元模拟的方法，对晶 保持环应具有高耐磨耐蚀性、低振动特性、材料 圆下表面等效应力的分布趋势进行分析，研究保持 稳定性和纯洁性等性能。只有正确选择保持环材料， 环压力与晶圆上压力的比