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2017-08-09 发布于上海
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40.5kV无SF6C-GIS开关柜研究 Research of 40.5 kV Non SF6 C-GIS

第47卷第6期高压圣譬 V01．47No．6 2011年6月 HighVoltage J眦2011 Apparatus ．29． 40．5 C—GIS开关柜研究 kV：无SF6 张强华1，谭燕2，邬建刚2 (1．上海交通大学电气T程学院，上海200240；2．上海天灵开关厂有限公司，上海201808) 摘要：随着《京都议定书》的签订以及环保意识的提高，SF6的应用越来越受到人类担忧，其限制使用必将成为电气行业的发展趋势。为在40．5kV C—GIS中避免使用SF6气体。在目前中压C—GIS中采取的少用或完全避免使用SF6的方法上，提出一种改进设计气体间隙和界面绝缘水平的方法，实现以低压力氮气作为气体绝缘 kV一1250 介质并完全替代SF6气体的设计。开发了1种三相共箱式40．5 A充低压力氮气的C—GIS样机，同样具有SF6气体绝缘开关柜占有空间小的优点，验证了此发展概念的可行性。关键词：40．5kv；C—GIS；氮气；低压力；环保；替代SF6 中图分类号：TM862 文献标志码：A 文章编号：1001．1609(2011)06．0029—05 Researchof40．5kVNonC—GIS SF6 ZHANG Qiang-hual，TANYan2，WUJian—gan92 ofElectrical (1．School Jian Engineering，ShanghaiTongUniversity，Shanghai200240，China； 201 2．ShanghaiTianlingSwitehgearCo．。Ltd．，Shanghai808，China) of Protocoland Abstract：Withthe mind oftheenvironment subscriptionKyoto improvement anxiousto its restrictionwill becomesthe SF6 payincreasingly gasapplications，andapplication definitely tendency of inelectrical ordertoavoidof in40．5kV methodfor and developing industry．In SF6 C—GIS，adesign gasgap has interfaceinsulation been insulationonthe improvementproposed，SF6replacedby N2躺the gas low—pressure basisoflessornon inthecurrentMVC-GIS．A40．5kV·1250A3 inonetankC-GIS