IGBT过电压产生机理分析及RC缓冲电路的设计 Analysis on the Reasons of Over Voltage for IGBT and the Design of RC Snubber Circuit.pdfVIP

第27卷第4期 电力科学与工程 V01．27．No．4 23 Electric and 1 PowerScience 2011年4月 Engineering Apr．，201 IGBT过电压产生机理分析及RC缓冲电路的设计 姜栋栋，王 烨，卢 峰 (华北电力大学控制与计算机工程学院，河北保定071003) 摘要：由于IGBT经常工作于高频状态，因此对其关断过电压的抑制就显得尤为重要。对IGBT关断过电 压的产生机理进行了分析，对常用的3种缓冲电路进行简单介绍，并且重点对RC缓冲电路的工作原理 及参数确定进行了理论分析。搭建了用ff-洌,liLIGBT动态特性的电路模型，并通过Muhisim对RC缓冲电 路进行了仿真与分析，验证了RC缓冲电路的吸收特性。 关键词：RC；缓冲电路；IGBT；浪涌电压 中图分类号：TM921 文献标识码：A 电压和续流二极管恢复浪涌电压的存在，会影响 0引言 IGBT的正常工作，如开关损耗加大、IGBT工作 温度过高，甚至会造成IGBT损坏。为提高IGBT Gate IGBT(InsulatedBipolarTransistor)，绝工作可靠性，较常用的方法是采用特定的吸收 缘栅双极型晶体管，是由B盯(双极型三极管) 电路。 和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型 1 IGBT过电压产生机理分析 电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高 输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 1．1关断浪涌电压分析 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大； IGBT的局部工作电路如图1所示。 MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压 R1 降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的 优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用 于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电 j 机、逆变器、变频器、开关电源、牵引传动等领 ％： 域¨J。现实中IGBT常用于逆变器等开关频率很 _ 掣 高的场合，如有源逆变系统，高频升压斩波电路， I IGBT在这些电路中的开关频率一般会达到几kHz 甚至更高，在如此高的工作频率下，IGBT的开通 图1 IGBT的局部工作电路 和关断很频繁，导通和关断时间很短。由于电路 Local ofIGBT circuit Fig．1 operating 在布置时不可能做到理想状态，因此电路中会存 当IGBT关断时，电路工作频率很高，杂散电 在杂散电感，在工作频率较低时，杂散电感一般 感将产生很大的影响，又因突变时间极短，因此 没有影响，但是在几kHz频率下，杂散电感对整便会产生很高的di／dt。由于电感具有不能使