第四章：化合物半导体材料_《半导体材料》课件.pptVIP

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2017-07-30 发布于河南
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第四章：化合物半导体材料_《半导体材料》课件.ppt

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第四章：化合物半导体材料_《半导体材料》课件

第四章化合物半导体材料;化合物半导体材料;4.1 常见的III-V化合物半导体;III-V族化合物半导体性质;带隙和温度的关系;晶体结构;离子键和极性;极性的影响;4.1.1 GaAS;GaAs能带结构;GaAs物理性质;GaAs化学性质;GaAs电学性质;本征载流子浓度;GaAs光学性质;4.1.2 GaAs的应用;1）GaAs在无线通讯方面;砷化镓与硅元件特性比较;应用领域;2）GaAs是功率放大器的主流技术;手机是促进GaAs IC市场增长的主要动力;国内外现状对比;3）GaAs还有更多的应用领域;4.1.2 InP;InP特性;4.1.3 GaN;GaN性质;发光二极管 LED;LED应用;LED照明的优点;半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一;;高亮度白光LED的实现;;日亚公司1994年首创用MOCVD制备了GaN LED;市场分布分析;氮化镓与其它半导体材料的比较;GaN的应用;;;4.2 II-VI族化合物半导体材料;;带隙和温度的关系;自补偿;Marfaring模型;;应用;其它材料