ZnO膜结构材料的压敏性能研究进展 The Study Progress of Varistor Material Properties of ZnO Membrane Structures.pdfVIP

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2017-08-02 发布于上海
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ZnO膜结构材料的压敏性能研究进展 The Study Progress of Varistor Material Properties of ZnO Membrane Structures

2012年第1期(总第245期) 电瓷避雷器 2012年2月 Insulatorsand Arresters Feb．2012 Surge 文章编号：1003—8337(2012)01—0045—05 ZnO膜结构材料的压敏性能研究进展东1,2 孙洪波1。邱玉平1。叶效1，杨娟1，徐 (1．江苏大学材料科学与工程学院，江苏镇江212013；2．上海大学纳米科学与技术研究中心．上海200444) 摘要：从薄膜、厚膜、复合膜三个方面综述了近年来国内外关于ZnO膜结构材料的压敏性能方面的研究进展。掺杂元素、成膜工艺、退火温度、膜结构等因素都影响着Zno膜结构材料的压敏性能，其中掺杂可以大大降低该膜的电阻率。提高非线性系数。低电位、高非线性系数的ZnO压敏薄膜及高电位梯度、高非线性系数的zno压敏厚膜的制备是今后研究的重点。关键词：氧化锌；压敏；膜结构；掺杂中图分类号：TB34；TN304．93文献标识码：A The ofVaristorMaterial ofZnO StudyProgress Properties MembraneStructures SUN Xia01，YANGJuanl，XU Hong-b01，QiUYu-pin91，YE Don91，2 ofMaterialScienceand (1．School Engineering，JiangsuUniversity，Zhenjiang212013，China；2．Research CenterofNanoScienceand 。 Technology，ShanghaiUniversity，Shanghai200444，China) Abstract：The ofvaristor ofdomesticand researchinrecent studyprogress performance foreign onZnOmembranematerialsaresummarizedfrom film．The film，thick years film，compositeperfor- manceofZnOvaristor canbeaffected performance bydopingelements，film—forming structureandother can reducethe ofthe factors，and temperature，membrane dopinggreatly resistivity membraneandincreasenon—linearcoefficient．TheofZnOvaristorfilmandZnOthickfilm preparation of with