ZnO陶瓷的压敏效应及其起源 Voltage Sensitive Effect and Its Origin of ZnO Ceramics.pdfVIP

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ZnO陶瓷的压敏效应及其起源 Voltage Sensitive Effect and Its Origin of ZnO Ceramics

2013年第2期(总第252期) 电 瓷 避 雷 器 N02.2013(Ser.№.252) 2013年4月 Insulatorsand Arresters Surge Apr.2013 文章编号:1003—8337(2013)02-0045--04 ZnO陶瓷的压敏效应及其起源 成鹏飞,刘汉臣。张晓军 (西安工程大学理学院,西安710048) 摘要:总结了ZnO陶瓷压敏效应的特点,归纳了ZnO压敏陶瓷导电机理与显微结构之间 的内在关系,分析了关于Schottky势垒起源的各种物理模型与化学模型的优缺点。提出ZnO陶 瓷优异的非线性I—V特性起源于ZnO本征点缺陷结构与外部的氧环境。 关键词:ZnO压敏陶瓷;Schottky势垒;非线性 中圈分类号:TM28 文献标识码:A SensitiveEffectandIts of ZnOCeramics Voltage Origin C耻NG Peng-fei,LIUHan--chen,ZInNGXiao-jun of (SchoolScience,Xi’an 710048,China) PolytechnicUniversity,Xi’an sensitiveeffectofZnOceramicsissummarized.ne Abstract:Voltage corresponding relationship betweenconductionmechanismsandmicrostructuresisconcluded.Afterthe ofthemeritand analysis all demeritof the modelsandchemicalmodels in is that physical proposedhteratures,it non- proposed I-Vcharacteristicsfrominternalintrinsicdefectstructureandexternal linearity originate point oxygen environment. words:ZnOvaristor Key ceramics;Sehottkybarrier;,nonlinearity 么与ZnO压敏陶瓷具有相似晶界结构的其它多晶 0引言 材料并不能出现相似的高非线性.因此对ZnO压敏 陶瓷压敏效应及其导电机理进行全面深入地归纳总 掺杂Bi203、Sb203、C020

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