ZnO-Bi2O3系MLCV稳定性的研究 Study on the Stability of ZnO-Bi2O3 Based Multilayer-Chip Varistors.pdfVIP
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ZnO-Bi2O3系MLCV稳定性的研究 Study on the Stability of ZnO-Bi2O3 Based Multilayer-Chip Varistors
2013年第3期(总第253期:) 电 瓷 避 雷 器 N03.2013(Ser.No.253)
2013年6月 Insulators
and Arresters
Surge Jun.2013
文章编号:1003—8337(2013)03—0048—05
ZnO—Bi203系MLCV稳定性的研究
成鹏飞1,李盛涛2,张晓军1
(1.西安工程大学理学院,西安710048;2.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049)
摘 要:研究了不同温度(900。1040
oC)下烧结的ZnO—Bi20,系叠层片式压敏电阻器(M【广
CV)的热稳定性和8/20¨s电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结的MLCV试样的稳定性最好.
其压敏电压变化率的温度系数低于1.67x10弧.电脉冲冲击后压敏电压和分线性指数的变化率分
别仅为0.25%和4.27%。然后分析了烧结气氛对MLCV在lmA直流负载作用下压敏电压稳定性
的影响,发现当垫料中添加剂的质量百分比比试样中添加剂质量百分比高20%时,MLCV试样压
敏电压的稳定性最高.
关键词:ZnO压敏陶瓷;MLCV;稳定性
中图分类号:TM28 文献标识码:A
onthe of Based Varistors
ZnO-Bi203
Study Stability Multilayer-Chip
CHENG Xiao-jiml
Peng-feil,LISheng-ta02,ZHANG
of 7 ofElectrical
(1.SchoolScience,Xi’anPolytechnicUniversity,Xi’an10048,China;2.StateKeyLaboratory
InsulationandPower 710049,China)
Equipment,Xi’anJiaotongUniversity,Xi’an
Abstract:Theofelectrical inducedambient and
8/20斗s
changing propertiesby temperaturechange
currentarestudied wasfoundthatMLCVsinteredatl000℃hasabetter
typed pulse firstly.It stability.
’11le coefficientofvaristor islessthan1.67x10吖Kand ratesofvaristor
temperature voltage changing
andnonlinear is0.25%and afterstressescurrent
voltage exponent 4.27%respectivelyby
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