Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破(续).pdfVIP

评论 iii- V族化合物半导体整体多结级连太阳电池 一一 ( ) 一光伏技术的新突破 续 陈文浚 GainP2/Gainas/Ge 三结电池的效率水平从未超过晶格完全匹 配， 即 in 组分约为 1%时的最高实践记录[36] 。 事实上 ，当 in 组 分为 12%，即理论上效率应为最高时，迄今为止实际所达到的 三结电池效率要更低得多[32] 。 上述 晶格失配的 GainP2/Gainas/Ge 三结电池的性能难 以 提高，是因为对电池转换效率贡献最大的 GainP2/Gainas 两级 顶电池的晶体质量仍难免或多或少地受到失配缺陷的影响。 最近有人提出了一个很有希望 的新方案 ，即以 Gaas 为衬底， 先 反次序生长 晶格匹配的 GainP 顶电池和 Gaas 中间电池。 然后，在 GainP 组分过渡层后，生长 in 组分为 25% 、带隙宽 度为 1.0 eV、 晶格失配的 Gainas, 代替 Ge 作 为第三级底电 作者近照 池[37~39] 。 在制作器件 时，将 电池外延层从 Gaas 衬底上剥离下 来形成薄膜结构 。1.0 eV 的底电池可比 Ge 更有效地利用太阳 3 基于 Gaas 的空间用多结级连太阳电池进 的 红 外 光 谱 。 而 更 重 要 的 是 ， 在 这 种 晶 格 失 配 的 一步的研究课题 GainP2/Gaas/Gainas 三结电池中， 晶格失配缺陷将只影响到 3.1 用晶格失配的材料系统实现与太阳光谱更好的 Gainas 底电池，而底电池对电池效转换率的贡献相对两级顶 匹配 电池来说要小得多。 前面己提到，与 Ge 晶格匹配的 GainP /Ga(in)as/Ge 三结 2 电池材料系统无论对于空间还是地面阳光， 都不是最理想的 选择。 图 8 给出了三级子单纯的外量子效率光谱响应及 aM0/aM1.5G 阳光下光生电流密度按单位光子能量绘制的光 谱分布曲线[32] Ga(in)as ( 880 nm) 。由于在 的吸收限 约 以外，太 阳光谱中仍有相当丰富的红外光可以被 Ge 底电池所利用， 使其短路电流密度远远高于电流匹配的 GainP2/Gainas 两级 顶电池。为了更有效地把太阳光能转变为电能，可以通过改变 in/Ga 组分比，调低 GainP