一种低成本23W紧凑型荧光灯电子镇流器.pdfVIP

2010年3月 光源与照明 2010年第1期 3 一种低成本2 W紧凑型 ．荧光灯电子镇流器 刘明 人民邮电出版社工业技术出版分社(北京100061) 摘要 和保护功能，预热频率、预热时间、点灯时问和正常点燃频率可由IC外部元件设定。 关键词 功率集成电路(UBA2025)紧凑型荧光灯(CFL)镇流器 功率集成电路(IC)预热保护 MOSFET 0概述 彳F上个世纪80年代问世的节能灯(如2U型、3U Flu— 型、螺旋型等)，都属于紧凑型荧光灯(Compact orescengLamp，CFL)。所谓电子节能，是指节能型 CFL与配套电子镇流器一体化的新型灯具。 早期的CFL电子镇流器采用分立无器件制作，典 型电路如图1所示。该电路的直流／交流(DC／AC)逆 变器，是半桥式拓结构。两个双极型功率晶体管(BJT)， 图2采用控制IC的CFL镇流器电路 构成半桥功率开关。R。、a和双向二极管VD2，是半 桥逆变器的振荡启动电路。一旦电路启动，晶体管像 采用控制IC的CFL镇流器电路，不再需要磁环 开关一样，轮流导通，将DC高压(约300V)转换 脉冲变压器(如图1中的T1)。开关频率可由阻容元 成25-45 kHz的交流高频信号，为CFL供电。 件(如图2中的Rt和CT)设定，而且还可以带灯阴 }‘牛桥式逆变器电路爿 极预热和保护功能。对灯丝预热，通常是输出较高的 kHz左 +Voc 舣极型晶体管(BJT) 一个频率来实现的。一旦灯点亮，对T作在45 右的一个较低频率上。 C， CFL镇流器控制器之所以选择驱动半桥中的两个 0．1uF 着优良的耐高温特性和较大的安全T作区，不存在BJT 固有的二次击穿现象，十分坚固耐用。MOSFET是金 属～氧化物～半导体场效应晶体管的简称，它有i个 电极，即栅极(G)、漏极(D)和源极(S)，相应于 BJT是一种电流驱动器件，而MOSFET是一种电压驱 动器件。 图1 由分立兀器件组成的基本CFL镇流器电路 进入21世纪以来，将CFL镇流器控制器和两个 图1所示的CFL电子镇流器电路优点是电路简 半桥功率MOSFET集戒在一起的功率lC不断推出， 由色利浦半导体创建的某公司不久前推出的UBA2025 简，成本较低，但需要一个带三个绕组(Tla、Tlb和 Tic)的铁氧体磁环变压器，开关频率不能准确设定， 功率集成电路IC，就是最新代表性器件之一。 也不带灯丝预热和