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一种基于亚阈值MOS低电压基准源单元电路的设计 The Design of Unit-Circuit of Low-Voltage Reference Source Based on Sub-Threshold MOS.pdf

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一种基于亚阈值MOS低电压基准源单元电路的设计 The Design of Unit-Circuit of Low-Voltage Reference Source Based on Sub-Threshold MOS

第23卷第2期 电 力 学 报 VoI.23No.2 2008年4月 JOURNALoFELECTRICPOWER Apr。2008 文章编号: 1005—6548(2008)02一0081一03 一种基于亚阈值MOS低电压基准源 单元电路的设计 熊元新,刘艺峰,文康珍 (武汉大学电气工程学院,武汉430072) 摘 要:电压基准作为一个基本的单元电路,在很多电路设计中都占有极其重要的地位。为了 满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求,提出了一种基于亚阈值MoS的低电压基准源 单元电路,该基准源单元电路采用TSMCo.35弘m工艺设计,具有较低的工作电压1.5V.输出电 压基准低达264.5mV,仿真验证该基准源单元电路温度系数为36 ppm/℃,具有较好的温度系数。 对此类器件的设计和研发具有重要意义。 关键词:电压基准;亚阈值;CMoS 中图分类号;TN01 文献标识码:A 电压基准作为一个基本的单元电路,在很多电 电流(忽略沟道长度调制效应),所以流经两个双极 路中都占有极其重要的地位,如ADC、DAC和DSP晶体管发射极的电流相等。由工艺决定晶体管Q。 中。随着SDRAM、快闪存储器(flash memory)等微与Q。发射极电流密度相等,即,s。=,s。=Js,晶体 电子产品器件的发展,这些器件对电压基准的要求 管Q。与Q:的发射极区面积比为Ⅳ,忽略基极电流 越来越高,输出电压基准在1V以下,功耗要小;电 则有流经电阻R。的电流为 压基准不受温度、工艺参数、电源电压等的影响,稳 定性要高;而且要求能用标准制造工艺制造出来。 由上所述,设计出高性能的低电压、低功耗的基 准电压电路对于低电压、低功耗的便携式微电子产 品的发展、生产具有非常重要的意义。 1传统的带隙基准源工作原理及电路 目前,国内外已有多种采用带隙设计的基准电 = = 路,基本上都是在如图l所示传统基准电路的基础 圈1传统带隙基准电路 上来进行研究、改进的。 如果两个双极晶体管工作在集电极电流相同但 反向饱和电流不同,或反向电流相同但集电极电流 J=等=击(%:一%。)= 不同的情况下,那么这两个晶体管的基极一发射极电 (,) 压降之间的差值△y雎(NPN管)或△y雎(PNP管)击(y丁ln笔一彘)=击yrlnⅣ. 与绝对温度成正比(PTAT);而yBE的温度系数为负 那么输出的基准电压 值。所以恰当利用如上所述情况下的晶体管可产生 (2) 零温度系数的电压、电流,即可得到零温度系数基准 电压、电流口。2],如图1所示。两个沟道宽长比(Ⅳ/其中,yr=志丁/g为热电压,点=1.38×10q3J/K为 L)相等的PMOS管组成一个电流镜对,产生相等的Boltzman常数,口为电子电荷,在丁=300K时, 收稿日期:2007.12.20 基金项目:国家自然科学基金项目资助 作者简介:熊元新(1962一),男.湖北仙桃人,教授.主要从事电工理论与新技术研究,(Tel)02768772281 万方数据 82 电 力 学 报

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