模拟电子技术和实践1.pptVIP

绪 论;1.1 电子技术的发展简介;1904年 电子管问世;半导体元器件的发展;电子信息系统的组成;1.2 现代电子技术的相关职业;;（一）、模拟电子技术基础课的特点 ;（二）如何学习这门课程; 通过本课程的理论教学和实验、课程设计等实践 教学，使学生获得电子元器件和功能电路及其应用的 基本知识，掌握电子技术基本技能，培养学生创新意 识和实践能力，以适应电子技术发展的形势，为后续 课程的学习和形成职业能力打好基础。 通过本课程及实践环节的教学使学生获得以下知 识和能力： ; 1.熟悉常用电子元器件的性能特点及其应用常识，具有查阅手册、合理选用、测试常用电子元器件的能力。 2.掌握常见功能电路的组成、工作原理、性能特点及其分析计算方法，具有常见电路读图能力。 3.熟悉常见电路的调试方法，具有电路简单故障分析、排除能力。 4.了解EWB基本操作方法，会用软件进行电路仿真。;1.4 常用电子元器件的基本特性;§1.4.1 半导体二极管;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;两种载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;三、PN结的形成及其单向导电性;PN 结的形成;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;PN结加正向电压动画演示;PN结加反向电压动画演示;四、二极管的组成;五、半导体二极管伏安特性曲线 ;2.反向特性 （1）反向截止区OC段。反向电压开始增加时，反向电流略有增加，随后在一定范围内不随反向电压增加而增大，通常称为反向饱和电流。 （2）反向击穿区CD段 当反向电压增大到超过某个值时（图中C点），反向电流急剧加大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压叫反向击穿电压UBR，其特点是：反向电流变化很大，相对应的反向电压变化却很小。;硅二极管和锗二极管的伏安特性之间有一定的差异： (1) 锗二极管的死区较小，正向电阻也小，导通电压低（约0.2V）。但受温度影响大，反向电流也较大。击穿以后，锗管两端电压变化较大，无稳压特性。 （2）硅二极管的死区较大，正向电阻也较大，导通电压较高（约0.7V）。但受温度影响小，反向电流也很小。击穿后，硅管两端电压基本不变，有稳压作用。;六. 二极管的主要参数; ;半波整流电路 （a）电路 （b）波形;（2）检波二极管;二、特种二极管及其应用;（4）发光二极管;发光二极管实物图片;? 变容二极管;3. 发光二极管（LED） ;光电二极管实物图片;;八、晶体二极管的极性与好坏的判别;;;一、晶体管的放大作用; (1)晶体管的结构和符号;(2)晶体管的放大原理;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;晶体管的特性; 2. 输出特性曲线 ;二、半导体三极管的种类; 三、三极管的主要参数;;（三）极限参数（关系到三极管工作的安全）;;四、半导体三极管的正确使用（1）半导体三极管的管脚判别三极管的型号命名规则;用普通万用表判定三极管的管脚 ;;;;（3）使用半导体三极管应注意的事项;其他半导体器件;（1）光敏电阻;;（2）光电三极管;2.光伏器件—硅光电池;;3.半导体发光器件;(2)发光数码管;(3)光电耦合器;4.可控硅器件;触发：当晶闸管加上正向阳极电压后，门极加上适当的正向门极电压，使晶闸管导通的过程称为触发。 维持电流IH：维持晶闸??导通所需的最小阳极电流。 ;;;;