第五章 发光器件和光控器件.pptVIP

第五章 发光器件与光控器件;?一、发光器件? 光的发生一般有两种方式，即温度辐射与发光，温度辐射就是指物体在高温加热时的辐射，例如电灯变亮就是钨丝加热的结果。 在温度引起的辐射之外的物体固有的有选择性的辐射现象统称为发光。发光又因激发方式和物质而有所不同，因此又分为光致发光，阴极射线发光，放射线发光，电致发光，注入式电发光等。 一切由辐射体的分子和原子的热运动（振动或转动）而产生的全部辐射叫热辐射，辐射体的温度上升时，其带电粒子的动能增加。 因而其发射的辐通量也增加。同时， 物体的温度增高时，不但它的辐射量也增大，而且它的光谱组成也有变化。当运动的粒子具有很大动能（即辐射体的温度很高）时，就能产生可见的辐射。 ; 光致发光材料的主要作用是将一种波长的光转换为另一种波长，即它能吸收一种波长的入射光、而后发射另一种波长的光。（即在发光材料中用能量高的光子激发能量低的光子）。现在已发现有些材料可将长波光转换成短波光（即几个能量小的光子激发出一个能量高的光子）。光致发光的主要应用是照明和一些特殊光源。例如用于日光灯、黑光灯、高压水银荧光灯等。;下面主要介绍激光器和半导体发光二极管这两种发光器件。 1、激光器 ;滥零骏些耗猜粳哭筋疡悬扮庇蜂镇妒挖更剖萝竖仔智喝吹净棺稚距署要杜第五章 发光器件和光控器件第五章 发光器件和光控器件;下面简要介绍两种激光器的工作过程和特点 1)氦氖激光器 氦氖激光器的工作物质是氦氖混合气，利用气体电离的方法使粒子数反转。主要发光物质是氖气。但是如果只使用氖气，电离电压必须很高，所以要掺入适量的氦，首先使氦气电离，然后利用氦气电离时产生的电子去电离氖气。;2)注入式半导体激光器 注入式半导体激光器的基本结构就是一个PN结，为了产生激光。半导体要进行重掺杂，杂质浓度为 ～ 。在这样高的杂质浓度下，PN结的能带结构如下图a所示。当给PN结加以正电压（P端接高电位）时，PN结的能带则变为图b的形式。; 另外，作为激光器还要有谐振腔，它是利用半导体晶体的自然解理面来充当的。例如，砷化镓晶体是立方形的，有三组彼此垂直的晶面，每组晶面严格的彼此平行，而且极光滑，经过适当加工即可成为谐振腔。 ;注入式半导体激光器的工作过程如下： 加外电源使PN结进行正偏置。正向电流达到一定程度时，PN结区即发生导带对于价带的粒子数反转。 这时，导带中的电子会有一部分发生辐射跃迁，同时产生自发辐射。自发辐射出来的光，是无方向性的。但其中总会有一部分光是沿着谐振腔腔轴方向传播的，往返于半导体之间。 通过这种光子的诱导，即可使导带中的电子产生受激辐射（光放大）。受激辐射出来的光子又会进一步去诱导导带中的其它电子产生受激辐射。如此下去，在谐振腔中即形成了光振荡，从谐振腔两端发射出激光。; 制作半导体激光器的材料多为 ，发光波长为800～900nm，(随x而变化），谱线宽度约0．3～1nm。有些激光器为了使激光从芯片的一端发出，而在芯片的另一端常涂以金或银的薄作为反射膜。 半导体激光器的优点是，电光转换效率高，体积小，结构稳定，使用方便。因此多用作便携式光源。此外，使用半导体激光泵浦倍频晶体产生蓝绿色激光，拓展了广阔的应用前景。 ;2、半导体发光二极管 半导体发光二极管和注入式半导体激光器类似，也是一个PN结，也是利用外电源向PN结注入电子来发光的。只是它的结构公差没有激光器那么严格，而且无粒子数反转、谐振腔等条件要求。所以，所发出的光不是激光，而是荧光。由于它的结构简单，体积小，工作电流小，使用方便，成本低，所以在光电系统中应用得也极为普遍。;1)发光二极管的发光原理 ??? 发光二极管的发光原理同样可以用前图PN结的能带结构来解释。制作半导体发光二极管的材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。由于PN结阻挡层的限制，在常态下，二者不能发生自然复合。而当给PN结加以正向电压时，沟区导带中的电子则可逃过PN结的势垒进入到P区一侧。于是在PN结附近稍偏于P区一边的地方，处于高能态的电子与空穴相遇时，便产生发光复合。这种发光复合所发出的光属于自发辐射，辐射光的波长决定于材料的禁带宽度 ，即 由于不同材料的禁带宽度不同，所以由不同材料制成的发光二极管可发出不同波长的光。另外，有些材料由于组分和掺杂不同，例如，有的具有很复杂的能带结构，相应的还有间接跃迁辐射等，因此有各种各样的发光二极管。; 通过发光二极管的电流与加到二极管两端电压之间的关系，称为发光二极管的伏安特性。图中， 为开启电压。U＞ 时，二极管导通发光。U＜ 时，二