IEDM 国际会议展示化合物半导体方面的成果.PDF

业界动态 | Industry IEDM国际会议 展示化合物半导体方面的成果 III-V族器件在太赫兹频率下展现了创记录的导通电流、前所未有的增益 和极低的功率开关损耗 RICHARD STEVENSON 五十多年来，国际电子器件会议（IEDM ）一直在强调硅技 术的发展。然而，最近该会议也展示在化合物半导体技术 上取得的重大突破。最近一次会议于2016 年 12 月3-7 日在旧 金山召开，会议中有关III-V 半导体方面的报告数量达到历史上 的峰值。报告展示的成果包括有：创纪录的III-V MOSFET 电流； 创立了 1 THz InP HEMT IC 的增益新标准；GaN 整流器件中前 所未有的击穿电压和反向漏电流性能；以及一种新颖的常闭型 GaN 垂直晶体管和无电流塌陷的GaN 栅极注入晶体管的开发等 内容。 在过去十年中， III-V MOSFET 的性能提升使摩尔定律不断 演进已成为IEDM 会议的一个共同主题。上次会议保持了这一 趋势，瑞典Lund 大学Cezar Zota 及其同事详细介绍了他们器件 的导通电流可超过任何III-V 族或硅基MOSFET （见图1）。该 团队的InGaAs 三栅MOSFET 在电源电压仅为0.5 V 时可达到 650 mA / mm 的导通电流。 提升器件的导通电流是一项重要的成就，“如果它高于电路 运行所需，那么就可以降低电源电压，以便将导通电流减少到 所需的水平”，Zota 解释说。因为总体功耗与电源电压的平方成 化合物半导体化合物半导体 2017 2017年第年第22期期 33 业界动态 | Industry 业界动态 | Industry 样的转变可以通过很多方式来实现，比如：晶圆 键合技术；选区生长技术，例如由IBM 所主导的 模板辅助生长方法；以及使用厚度小于 100nm 且 缺陷密度很低的缓冲层技术等。 随着器件的宽度从平面架构缩小到25 nm ， 跨导最大值可增加到3.3 mS/µm ，这些都可归因 于纳米线中铟含量的增加及其在界面态的分布上 所产生的有益变化。 图1. Lund大学研究人 按比例缩小的另一个优点是可以减少亚阈值 员制作的I n G a A s三栅 的摆幅：当纳米线的宽度从1µm 缩减到25nm 时， MOSFET ，据称其导通 电流可超过任何硅基和 亚阈值摆幅从可从100 mV / dec 降至66 mV / dec。 III-V族MOSFET 。 器件的短沟道效应也将得到改善，而且可以通过 正比，所以这样将能使电路的功耗大幅减小，如 引入更宽的带隙衬底或采用绝缘体上III-V 族膜 果将该电路用于移动设备中，就可延长电池的工 层结构来进一步降低这种影响。 作寿命。用节点尺寸来调整电源电压的另一个好 与此同时，对氧化层进行按比例缩小的实验 处是可以防止芯片功率密度的增加。 表明，将等效氧化层厚度（EOT ）从1.4nm 缩减 Lund 大学的团队