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晶体管设计
超高频晶体管设计总方案 第二组 Present;1．功能（应用方向） ;2．对器件的要求 ;指标分析：;;;;;;１．基片及纵向工艺参数的选择：;;;;对于平面浅结器件，若选取浓基区结深为 3μm,查图[2]可知，;;（2）基区宽度的选取 ;;;（3）发射极和集电极结深的选取 ;（4）淡基区（低掺杂浓度基区的简称）扩散、发射区扩散的表面杂质浓度的选取;;;;;（５）浓基区扩散的结深和表面杂质浓度的选取 ;（6）外延层厚度的选取;;;综上所述，纵向结构设计的参数值如下： ;2．基本图形和横向尺寸的选择： ;（１）单元发射极宽度、长度和个数的选取;;式中 为基区平均电导率， ， 相对应的少数载流子迁移率可由图[9]查得。;;;;（２）基区面积的选取 ;（３）发射极引线孔尺寸的选择;（４）浓基区和淡基区窗口尺寸的选择;???５）发射极镇流电阻尺寸的确定;（６）铝金属电极尺寸的确定 ;;（７）光刻版图形尺寸L;（ 8 ）版图编辑软件L-Edit;;3．版图参数设计 ;4．工艺流程：;;;;;;7．可靠性设计;（2）、晶体管的可靠性概要：;2）、晶体管的失效方式;（3）、可靠性实验： ;2）、可靠性实验的基本项目与内容： ;8．预期结果及结果验算（理论验算）： ;;;（ii）、计算基极电阻
可利用 Se、Seb 、Sb 、leb 以及le ，算出薄层电阻。通过查附图[8]得到平均电导率 ，从而得出薄层电阻。基极与硅接触的金属即为做镇流电阻用的镍铬了，其接触系数 查附图[7]， 为每个单元中基极金属电极面积。将上述计算出的数据代入（4—9）式，可求得 。
;（iii）、发射极引线电感 ;;（2）、特征频率 的验算： ;;;;;;
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