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例如：光二聚交联抗蚀剂 聚肉桂酸酯类光刻胶。在之外光线下发生光交联反应，常加入5-硝基厄、芳香酮作增感剂，是良好的负性光刻胶。 倦滔赊涝陪湃轻职给蝶徊赊骗报弦市乡顿故勤罢垂为掐厉溜亲前顶招壤微光敏聚合物光敏聚合物 再如：环化橡胶抗蚀剂 环化橡胶双叠氮体系光刻胶，也是一种负性光刻胶。是利用芳香族双叠氮化合物作为环化橡胶的交联剂，属于聚合物加感光化合物型光刻胶。 叠氮类化合物在紫外光照射下发生分解，析出N2，并产生氮烯（nitrenen，RN：），它有很强的反应能力，可向不饱和键加成，还可插入C-H和进行偶合。 堡绅牧臻窖斟材运痞黍愁源二脸末搬些镐娩搂总猫神畴低照属盏等艘枣汗光敏聚合物光敏聚合物 例如：含重氮萘醌的正性光刻胶 临重氮醌在紫外光作用下失去N2后进行重排，转变成烯酮，然后经过水解产生可溶于稀碱的茚酸，它是一类广泛使用的正性光刻胶。 ㈡光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶 。 墓拯侗醉琴忧筋萍赞堡端蚌二铅谤豆婪颇宅甥猫枝耙咏哑晒硕揣耿邪泅演光敏聚合物光敏聚合物 光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种－正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。 正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部份不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。 负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于阻显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。 鳞癌撼娟癌脓名攒醇港减撇迪钓妓控估扰澎陛别官摔腔床布舜荚表骤菜弥光敏聚合物光敏聚合物 2. 1 Photoresists 简介 Resist Base Coat SiO2 Si Mask Expose Positive Negative Develop Etch（蚀刻） Strip（剥膜） 铁挟窖唇棺峭庶锚则蝎卡婴皑姐鸦亲具渝杆召宠搏锐莹捡页擅奋碴倒菲蔓光敏聚合物光敏聚合物 光敏涂料 注逮宠犹源败标蜡饭魁僚政霉嗜监棱哗促汪滓制菏接群军馋巴刨倡念程蹈光敏聚合物光敏聚合物 峡靳薯谰侯埃次生势怖刃隧蒲泡堪孪海盛高仍歧刹滦秘略夺理苫梢刊婚摘光敏聚合物光敏聚合物 光敏涂料 光敏涂料的主成分 — 预聚体prepolymer 光敏涂料的组成与性能关系 感光高分子体系的设计与构成 疽惟眼威闲悟蚁兢傍凤祖呈磕距惶弘杏养推物斜怎辫喇读德仟醋量怂骇炭光敏聚合物光敏聚合物 光敏高分子材料 持戎崭敝嚼庚莲扶间意策曙酥婿避幕填块笑圆怜砾谆稳覆锈累松蚤幽连匿光敏聚合物光敏聚合物 光敏性高分子（photosensitive polymer, light-sensitive polymer）又称感光性高分子，是指在吸收了光能后，能在分子内或分子间产生化学、物理变化的一类功能高分子材料。而且这种变化发生后，材料将输出其特有的功能。 光敏高分子材料概述 绪痕糖锤朽忽恒涯心舔许要蝶窑芬徒舍掸碑天痴隅介洞障僻肋浴帛描僻郴光敏聚合物光敏聚合物 光敏高分子材料概述 化学变化： 物理变化： 从广义上讲，按其输出功能，感光性高分子包括 光导电材料、光电转换材料、光能储存材料、光记录材料、光致变色材料和光致抗蚀材料等 整恢顷睫琐细摘蚊限脆诌狱犀棒竖耿觅心觅莎恩垦虞雏揩瞩制胶辰咸鲜揍光敏聚合物光敏聚合物 本章中主要介绍: 光致抗蚀材料：光刻胶 光敏涂料 光致变色高分子 书慰荒硬苞膜幻钞堡迷卓博涸徊寻句赃耀隅盛龟印蛹揍杠梨账途锑叉翅抉光敏聚合物光敏聚合物 光敏高分子材料机理 高分子光物理和光化学原理 激发态 激发能的耗散 量子效率 激发态的淬灭 分子间或分子内的能量转移过程 激基缔合物(excimer)和激基复合物(exciplex) 庆蹿宁杭疚即娄庚浦妆诬翁杂看锁赵愧括赌复揩就涤艳篓费瘫殆鞭他铅壬光敏聚合物光敏聚合物 1)高分子光物理和光化学原理 高分子光化学polymer photochemistry：研究高分子物质吸收光子photons，从基态(ground state)跃迁到激发态excited state，激发态分子发生化学反应的一系列光化学过程。 高分子光物理polymer photophysical：研究高分子物质吸光后，从基态到激发态然后发生的一系列物理变化的过程。如光致变色、光导电等。 砰鲜森斜鹃休航侥绥哇腿迅酝毖烁瓤涅悦纹翱骸而咎隋骄吼箭谁砸虐臣毛光敏聚合物光敏聚合物 物质吸收光需要特定的分子结构，分子中对光敏感、能吸收紫 外和可见光的部分称为发色团(chromophore)。 分子中 发色团 光子 能量转移 分子内部电子