晶界能量.ppt

一. 小角晶界能 小角晶界界面能：是晶界上所有位错的总能量。对倾转晶界，界面能是一系列同号位错产生的位错应变能。单位长度刃位错能量为：;Surface and Interface of Materials; 式中： ； 。以γgb/θ- lnθ作图，直线的斜率即为-γ0 ，截距为γ0 A 。以γgb－θ作图，曲线特点如下：●θ= 0， lnθ→0，得到γgb= 0 。● 斜率dγgb／dθ=γ0(A－1－lnθ)，若θ= 0，则斜率为无 穷大；随θ增加斜率减小。●γgb 的最大值(γgb )m 对应θ为θm： dγgb/dθ= 0 =γ0 (A－1－ln θm) θm = exp(A－1) 得界面能与取向角的关系: ;理论分析的结论：● 理论曲线与实验测定吻合的较好,如下图Cu的研究结果。● 由图看出，小角晶界模型只能在10°以内符合，超出10° 计算值（虚线）与实验值(实线)不再符合。●公式对扭转晶界也适用，但位错能相关的系数γ0和A不同。; 1. 任意大角晶界能 ● 实验测定—热蚀法：将样品 在高温下长时间加热，达到平 衡状态，然后测定二面角，从 下式平衡关系得到： γgb- 2γcos（θ/2）= 0  ●γgb 大小与结合键强弱有关。 ● 同样可与升华热建立联系。 ● 随温度的升高γgb 降低。;2. 特殊大角晶界能● 共格孪晶界：是一种有孪晶关系的对称倾转晶界。共格 原子基本处于无畸变的状态，共格孪晶界的能量非常低。● 非共格孪晶界：非共格态导致界面能较高。孪晶界面能 对界面取向敏感，有如图的函数关系。; ●晶界偏析：在平衡条件下，溶质原子（离子）在晶界处浓度偏离平均浓度。 ●偏析的自发趋势：晶界结构缺陷比晶内多，溶质原子（离子）处于晶内的能量比处在晶界的能量高，通过偏析使系统能量降低。 ●偏析驱动力是内能差：设一个原子位于晶内和晶界的内能分别为El 和Eg ，则偏析的驱动力为：; ●偏析阻力是组态熵(结构熵)：溶质原子趋向于混乱分布，晶内位置数(N)大于晶界位置数(n)，构成了偏析的阻力。设晶内及晶界的溶质原子数分别为P 和Q ，则P 个溶质原子占据N 个位置和Q 个溶质原子占据n 个位置的组态熵为：;偏析表达式该分布状态下的吉布斯自由能为（斯特林公式lnx!≈xlnx－x）：平衡条件为： ，  平衡关系式：或： ;用C 及C0 表示晶界和晶内的溶质浓度，则：令ΔE 表示1mol原子溶质位于晶内及晶界的内能差：则：因而有：对稀固溶体，C0＜＜l，上式近似写成：再做近似：  ;影响晶界偏析的因素 ● 溶质浓度C0 : 随溶质的平衡浓度增加而增加。●温度: 因△E 为正，故随温度升高C 下降。温度高TS 项影响大，使偏析的趋势下降；但温度过低，平衡C  虽高，但受扩散限制而达不到较高的C 值。●内能△E :内能差△E 越大，偏析浓度C 越高。内能差 与溶质和溶剂原子尺寸差相关，也与电子因素有关。●界面能变化: 能降低界面能的元素，易形成晶界偏析。 根据等温吸附方程：  是偏析量，x 为溶质原子的平衡体积浓度。 ，强化晶界偏析。 ，导致溶质晶界浓度低于晶内浓度。 ;晶界迁移 — 原子跨越界面运动的结果。典型情况：晶粒长大过程；相变过程。;考虑两晶粒组成的界面，两晶粒的化学位为μⅠ＞μⅡ，作用于原子的力是吉布斯化学位梯度-dμ／dz 。于是当界面厚度为λ，则晶粒I的一界面原子受到的力：;晶界迁移与原子迁移有关系：原子的平均迁移速度又可表示为： υ = BFB 是迁移率，于是可得： 上式表明：晶界迁移速度取决于晶界两侧的化学位