High Power SiGe X-Band (8~10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers.pdfVIP

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  • 2017-08-10 发布于上海
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High Power SiGe X-Band (8~10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers.pdf

第27卷第2期 半 导 体 学 报 v01.27No.2 2006年2月 CHINESEJoURNALOFSEMICONDuCToRS Feb.,2006 PowerSiGe High Bipolar Transistorsand Amplifiers。 Ma Zhenqian91”,WangGuogon91,JiangNingyuel, PonchakGE2,andAlterovitzSA2 (1 Electricaland Wisconsin—Madison,Madison,wI53706,USA) Departmentof Comp

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