LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展 Progress in the Epitaxial Growth of Nonpolar GaN for LEDs.pdfVIP

半《导体光电))2011年8月第32卷第4期 陈金菊等：LED用非极性GaN外延膜 鱼垫燮 LED用非极性 GaN外延膜的制备技术进展 陈金菊 ，王步冉 ，邓 宏 (1．电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 。成都 610054；2．西南电子设备研究所，成都 6lOO36) 摘 要 ： GaN是实现 白光 LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性 c轴生长，基于极性 GaN的LED有源层量子阱q-由于强 内建电场的存在而导致器件发光效率降低，而沿非极性面生 长的GaN外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等 问题 。文 章总结了非极性GaN外延膜的制备技术及研究进展 ，包括平面外延技术和横向外延过生长技术， 指出开发非极性GaN 自支撑衬底、发展非极性 GaN 的横 向外延生长技术是制备低位错密度非极 性 GaN 的研 究方 向。 关键词 ： LED；非极性 GaN；横向外延过生长；位错 中图分类号：TN383．1 文献标识码：A 文章编号 ：1001—5868(2011)04—0449—06 P