P-GaN ICP刻蚀损伤研究 Study on ICP Etching Induced Damage in p-GaN.pdfVIP

第28卷第7期 半导体学报 V01．28NO．7 2007年7月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTCIRS July，2007 ICP刻蚀损伤研究* P—GaN 龚 欣’ 吕 玲 郝 跃 李培成 周小伟 陈海峰 (西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响．原子力显微镜显示，在文中所用的刻蚀条件范围内，刻蚀并没有 引起表面形貌较大的变化，刻蚀表面的均方根粗糙度在1．2nm以下．结果还显示，已刻蚀p-GaN材料的电特性与 物理表面形貌没有直观联系，刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入，使表面附近空穴 浓度降低所致． 关键词：GaN；感应耦合等离子体刻蚀；等离子体损伤 PACC：7280E；6170 中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：0253-41