薄膜太阳电池的研究与发展 Research and Development of Pellicle Solar Battery.pdfVIP

薄膜太阳电池的研究与发展 文／上海交通大学电气工程系胡培明王杰 文／应用材料中国有限公司上海分公司胡培明 I 随着多晶硅薄膜电池的玻璃衬底的R,-t圣g来越大及太阳能转换效率的提高．光 l 伏电池的发电成本得到显著的降低。太阳能光伏电池发电的前景变得越来越光明70 当前，制约太阳电池发展的一个很重要的因 具潜力的选项。但是，利用玻璃作为衬底时，其最 素是太阳电池的成本，目前国内晶体硅太阳电池 大缺点是由于其软化温度的限制，薄膜的沉积温度 组件的成本高达30～35元／W，远高于传统发电方以及相关的后续处理温度都不能太高。多晶Si薄膜 式的成本。太阳电池的成本取决于太阳电池的组 材料的质量(或缺陷密度)与沉积温度以及相关的后 件、电力的存储与转换、电池组件的支持与架设、 续处理温度有极大的关系。一般来说，温度越高，所 土地与场地及设备的费用等。在所有的这些费用 制得的薄膜材料的质量越好(或缺陷密度越低)。试 中，材料费用是最大的支出，如对晶体硅太阳电池 图解决玻璃衬底要求温度不胄邕太高而材料又要求温 来说，材料费用约占总成本的60％～80％。因此，度越高越好这一矛盾，一直是过去10多年来多晶si 太阳电池的发展离不开对半导体材料的选择和改 薄膜电池研究的中心工作之一。实际的非晶硅a—Si 进。一项欧共体支持的研究表明，建立的薄膜太阳 半导体材料含有大量的结构缺陷，如悬挂键、断键、 电池组件工厂成本能降低到l欧元／W。由于半导 空洞等，这些结构缺陷有很强的补偿作用，并造成 体材料的薄膜化能够大幅度降低太阳电池的成本， 费米能级打孔，使a—Si材料没有杂质敏感反应。直 因此薄膜电池成为人们关心和研究的又一热点。 至lJSpear等利用硅烷(Sill。)的直流辉光放电技术制备 此外由美国应用材料有限公司为代表的设备生产 出a—Si：H材料，即用H补偿了悬挂键等缺陷态， 厂商把制造大尺寸LCD的PECVD(离子增强型化才实现了对非晶硅基材料的掺杂，从此开始了非晶 学气相沉积)设备用于基于玻璃衬底的薄膜太阳电 硅材料应用的新时代。 池的生产，大大降低了单位面积太阳电池的成本， 以玻璃基片为衬底的a—Si电池为例，其制造 其8．5代设备可生产5．7m2大小的太阳电池，可灵 工序是洁净玻璃衬底一生长TCO膜一激光切割 活切割成各种尺寸的电池，提供了一条创造性的 TCO膜一依次生长pin非晶硅膜一激光切割a—Si 降低成本的好方法。下图为世界首条5．7m2玻璃衬 膜一蒸发或溅射Al电极一激光切割或掩模蒸发Al 底模组生产线。 电极。TCO膜的种类有锢锡氧化物ITO，二氧化锡 Snq和氧化锌ZnO。 硅薄膜材料的沉积方法 图 在薄膜电池中，我们所说的“薄膜”通常是指 10“m以下厚度的膜。化学气相沉积法(Chemical 玻璃衬底多晶硅薄膜的制备 Vapor 通常，人们将玻璃作为薄膜太阳电池的理想衬 si薄膜和介质薄膜(如SiN和SiO，等)的低成本方法 底，其原因包括几个方面：①玻璃具有优良的透光 已被广泛用于微电子领域。它的基本过程是通过某 特性。②玻璃可以耐一定的温度。③玻璃具有一定 种激励机制，使反应气体分子被激发和分解。这些 的强度。④玻璃的成本低廉。因此，人们一直将玻 被激