变温C-V和传输线模型测量研究AlGaNGaN HEMT温度特性 Temperature Characteristics of AlGaNGaN HEMTs Using C-V and TLM for Evaluating Temperatures.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 Z7 5 Vol.Z7 No.5 年 月 Z006 5 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Ma Z006y 变温 和传输线模型测量研究 ! C-V AlgaN gaN HEMT温度特性% 王 冲 张金风 杨 燕 郝 跃 冯 倩 张进城T 西安电子科技大学微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071 摘要通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V 测量和传输线模型变温测量 研究了蓝宝石衬底 AlgaN gaN 异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在 Z5 Z00 之间的变化 分析了载流子浓度分布 沟道方块电阻 欧 ~ 姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律 得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化. 造成 沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论 同时 证明了. gaN 缓冲层漏电不是导致器件退 化的主要原因. 关键词高电子迁移率晶体管 二维电子气 传输线模型 泄漏电流 EEACC Z5Z0D Z530C 中图分类号 + 文献标识码 文章编号 # $ TN3Z5 .3 A 0Z53-4177 Z006 05-0864-05 得到的 层 组分为 效应测量显 AlgaN Al Z7 .~all l 引言 示 室温下蓝宝石衬底上生长的材料的二维电子气 迁移率和面密度分别为 Z ZDEg 10Z8cm V 基于 异质结的 在高温器 和 13 -Z AlgaN gaN HEMT 1.610 cm .