掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析 Reverse Blocking Characteristics Simulation and Mechanism Analysis of SiGe Diodes with Carbon Incorporation.pdfVIP
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第42卷第12期 电力电子技术 Vol_42No.12
2008年12月 PowerElectronics December,2008
掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析
刘 静,高 勇
(西安理工大学,陕西西安710048)
比,SiGeC二极管的热稳定性显著提高,反向漏电流明显减小,击穿电压也有所增加,且随着温度的升高,其优势更加
明显。与少子寿命控制技术相比.该SiGeC/Si异质结二极管有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢
复时间3者之间的矛盾。其较好的热稳定性降低了对器件后续制作工艺的限制,而且无需采用寿命控制技术,在制
作过程中可调节Ge,C含量来对异质结能带结构进行剪裁,折中优化器件性能,给器件设计提供了更大的自由度。
关键词:半导体二极管;模拟/阻断特性:寿命控制
中图分类号:TN313+.4 文献标识码:A 文章编号:1000—100X(2008)12—0042—04
Reverse CharacteristicsSimulationandMechanismofSiGe
Blocking Analysis
DiodeswithCarbon
Incorporation
LIU Yong
Jing,GAO
(Xi’吼UniversityofTechnology,Xi’吼710048,China)
and
reverse characteristicsofSiGe diodeswithcarbon arestudied their
Abstract:The incorporationdeeply
blocking power
mechanismsarealso toSiGe thesame thermal is remark-
diodeswith
given.Compared structures,thestabilityimproved
currentisreduced andbreakdownisincreasedtosomeextentforSiGeCdiodes.The
leakage largely voltage
ably,reverse
of diodesaremoreobviousat tolifetimecontrol of car-
SiGeC
advantages hightemperature.Comparedtechnologyminority
contradictions on—state reverse currentand reverse
tier,the decreasing leakage shorting recovery
among voltage,reducing
timearecoordinated
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