测量计算金属-半导体接触电阻率的方法 Measurement and Calculation of Specific Contact Resistance in Metal-Semiconductor Contacts.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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r∞kage，lest锄dEqUlpm衄t*—，I 封耗燃。留测量计算金属．半导体接触电阻率的方法李鸿渐，石瑛 (武汉大学物理技术与科学学院，武汉430072) 摘要：如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属．半导体欧姆接触电阻率的模型和方法，如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等，对各方法的利弊进行了讨论，并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑，认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。关键词：金属．半导体接触；接触电阻率；传输线模型中图分类号：TN304．cr7；1N3晒．93文献标识码：A MeasurementandCalculationof ContactResistancein Specmc Contacts Metal．Semiconductor LiHon舒ian，ShiYing 430072，饥i眦) (sckof矿脚sbo蒯70砒肿增，阢虎口，l№讹瑙妙，耽^口n Howto meaSureandcalculatetllecontactresistanceValuesbecomesan Abstract： precisely iTnportant for and of resistance research modelsandmethodsthemeasurementcaleulation contact project．VaIious special of modelsand inⅡ1etd·semiconductorcontactsweresumm撕zed．Boththe and the advantagesdi8adVantages line methodswere 1ineartransfer circulartransmission discussed， met}lod， model，咖Itiple ineluding len昏h annular etc．Combinedwiththelatestresearch the methodswerecommentedand electmde， progress，0perate ofvarious acirculartrans面ssion1inemodel was concluded’Comprehensiveb出ance factors， (CTL】Ⅵ