采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征 Fabrication and Characterization of Strained Si Material Using SiGe Virtual Substrate for High Mobility Devices.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征 Fabrication and Characterization of Strained Si Material Using SiGe Virtual Substrate for High Mobility Devices.pdf

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No．10 第28卷第10期半导体学报 v01．28 2007年10月 CHJNEsEJ0uRNALoFSEMICoNDucToRS Oct．，2007 FabricationandCharacterizationofStrainedSiMaterialSiGe Using VirtualSubstratefor Devices。 HighMobility XuJug’ LiangRenrong，ZhangKan，YangZongren，XuYang，WangJing，and China) (Institute 100084t ofMicroelectronlcs，TsinghuaUniversity，Beijins and Abstract：Thefabricationcharacterizationofstrained-SimaterialonarelaxedSi0 grown 79Ge02l／gradedSil—r virtual reduced chemical TheGe Ge：／Si substratetusingpressure vapordeposition，arepresentedconcentrationof constant the SiGc andthe rateofthe SiGe areestimatedwith compositionlayer grading gradedlayer double-crys— diffractionandfurtherconfirmedSIMS tal measuxements．Thesurfacerootmean ofthe X-ray by squareroughness Si 2 strained is 36nm．andthestrainisabout0．83％asdeterminedatomicforce andRa． caplayer by microscopy man dislocationhoatheorderof is spectra·respectively．Thethreading density thatthestressinthe found strainedgi ismaintainedevenafterthe thermal caplayer high budgetproce％．nMOS． FETdevicesarefabricatedandmeasuredinstrai