掺杂Dy~(3+)对SrTiO_3晶界层电容器组织性能的影响 Effect of Dy~(3+)-doping on the properties and microstructure of the SrTiO_3 grain boundary layer capacitors.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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第32卷第4期兵器材料科学与工程 V01．32No．4 2009篮7月 ORDNANCEMATERIALSCIENCEANDENGINEERING July，2009 掺杂Dy3+对SrTi03晶界层电容器组织性能的影响陈显明．黄勇 (肇庆学院电子信息与机电工程学院，广东肇庆526061) 以促进晶粒的长大；而在含量较高时，会引起较高的形变能，为降低形变能，Dy3+易于在晶界上析出第二相质点，这些第二相质点具有细化晶粒的作用。晶界层电容器的有效相对介电常数是由晶粒的大小、晶界层的介电常数和晶界层厚度所决定的。因此，瓷料的配方和制造工艺必须保证晶粒的生长和形成致密均匀的晶界，才有良好的性能。通过配方的调整，瓷片获得了良好的组织与综合性能：E=68 Pso，=20Gft·cm，K(Dc)=620 000，tg$=1．86x10-2 7．4％。关键词SrTi03；晶界层电容器；组织性能；Dy；陶瓷中图分类号TM534 文献标识码A 文章编号1004—244X(2009)04—0047—03 of onthe andmierostruetureof Effect D广一dopingproperties the SrTiOs grainboundarylayercapacitors CHEN Xianming，HUANGYong ofElectronicandInformation＆Mechanical 526061，China) (College Engineering，ZhaoqingUniversity，Zhaoqing on ofthe Absn-aetThisarticlestudiedtheeffectof the andmicrostructure Dy“一dopingproperties SrTi03grainboundarylayer semiconductorceramic canreducethe andthen the when capacitors(GBLC)．Dy3+addingboundaryenergy promotegraingrowth thecontentof lower．Butwhenthecontentof distortedis toreducethese the Dy“is energy energy Dy“is higher，the high，and refine GBLC second of to onthe can theGBLC dielectric easyprecipitate