掺杂Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏电阻片性能的影响 Impact of Y2O3 Doping on Performance of ZnO-Bi2O3 Based Varistor.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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掺杂Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏电阻片性能的影响 Impact of Y2O3 Doping on Performance of ZnO-Bi2O3 Based Varistor.pdf

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电瓷避雷器年第期总第期 2007 Number 1 (Ser.!2 15) 2007 1 ( 215 INSULATORS AND SURGE ARRESTERS 文章编号! 1003-8337 (2007 0 1-0018-03 掺杂Y O 对ZnO-bi O 系压敏电阻片性能的影响 2 3 2 3 王玉平马军西安电瓷研究所陕西西安 ( , 7 10077 摘要掺杂可显著提高系压敏电阻的电位梯度能量吸收能力等电气性 : Y O ZHO-bi O \ 2 3 2 3 能但会引起泄漏电流的增加研究了不同烧成温度下掺杂摩尔分数对 1 0 1 0!17% ( )Y O ZHO# 2 3 压敏电阻片电气性能的影响结果表明在下掺杂摩尔分数可获 Bi O 0 1 1 140 $ 1 068% ( )Y O 1 2 3 2 3 得具有的电位梯度和 3 能量吸收能力的高性能电阻片此外以为主成 300 V/mm 370] /cm 0 1 FSM 分的无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘加速老化系数小于 CF$ 1 KCT 10 关键词压敏电阻片掺杂电位梯度烧成温度侧面绝缘 : ZHO