掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响 Influence of Doping Level on the Gauge Factor of Polysilicon Nano-Film.pdfVIP

第27卷第7期 半导体学报 V01．27No．7 2006年7月 CHINESEJoURNALoFSEMICoNDUCToRS July，2006 掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响 描荣岩1’2一 刘巍为1 霍躜学1 宋明浩1 王喜莲1 潘慧艳1 (1哈尔滨工业大举MEMs中心，蹬尔滨150001) (2沈阳工业大学信息科学与工程学院，沈阳110023) 攘要：为套效裁惩多照硅绣寒薄膜戮铡MEMS援隰器箨，本文瓣毛PcVD多菇疆续米薄貘波变系数与掺壤浓度懿 关系透稽了研究，并稍愆扫描电镜葶耩X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点．缡果表明：在羹掺杂情嚣下，纳米薄 膜的应变系数明显大于相同掺杂浓殿下单晶硅的成变系数，而且掺杂浓度在2．5×1020cm。发右时，应变系数具有 随掺杂浓度升高而增大的趋势．对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释，提出了多晶硅压阻特性的修 正模型． 关键词：多晶硅；纳米薄膜；压阻特性；隧道效应；应变系数 EEACC：2520CPACC：7280C 中图分类号：0738 文献标识秘：A 文章编号：0253—4177f2006)07-1230-06 时，往往通过数学方法给出两者间复杂的定量函数 1 引言 关系[3’4]．这种复杂的函数关系很难表现出其中的 物理意义．虽然这些定量关系在一定程度上与相应 炸为篷阻耪料，多照硅薄貘在微瞧子祝械系统 的实验结果甥合，但不圈条纷下割痒静多晶硅薄膜 (MEMs)中应用广泛，尤其在高温滕阻器件方筒表 在结构和压阻特性上存在差异，这些理论分析很难 现出极好的物理特性．适当控制成膜工艺条件，多晶 定量地满足各种条件下的实验结果．换言之，这种定 醚薄膜还可表现出稳定性高和非线性度低的优点， 量关系仅对多晶磁压阻器件的研制起定性的指导作 其压阻灵敏爱通常可达爨单晶硅的∞％左右H赡】． 用。因此，本文采用定性的方法对应变系数随掺杂浓 随着纳米技术的发展，厚度在100nm以下的多度变化的微观机理进行分析，给出多晶硅薄膜基于 鼯硅纳米薄膜的压阻特性倍受关注．多晶硅纳米薄 现有理论的G。Ⅳ关系． 膜与衬底结合稳固，且两蠹具有极好酶应变一致性， 2．董 掺杂浓度对p型单晶穗痉变系数的影藕 有利予提高多晶硅压隧器件的精度，改善重复性与 迟滞特性．现有的多晶硅压阻理论认为：薄膜越薄， 多晶硅由晶粒和晶界组成，通常认为多晶硅的 晶粒越小，多晶硅的应变系数就越小，从而导致此方 压阻特性主要源予具有单晶结构的晶粒[5’6]，因此 舞的研究较少，国内几乎没有裰关报道．然而，实验 首先分柝掺杂浓度对p型单黯硅应变系数戆影响。 结果表臻：在重掺杂靖凝下，晶粒较，l、的多晶硅纳米 单晶硅价带预E，附近存在两种赫Ii：：关系，由 薄膜不但比大晶粒薄膜具有更大的应变系数，而且 两个能带重叠而成，其压阻特性被认为是这两个能 比相同掺杂浓度的单晶硅的应变系数更大，具有良 带在应力作用下分离退耦的结果口灌]．如图l所示， 好的应鼹蘸景。为此，本文针对膜厚程28～90nm范 上谣一条曩是关系蘸线所对应毙带的空穴骞效囊 豳内的(低疆化学气相淀积LPCVD)多晶硅纳米薄 量与下面一条魏线对应能带的空穴有效质量不同， 膜进行