封装制程介绍晶圆研磨WaferBackGrinding.PPT

序 公司簡介 封裝製程介紹 2288A WORK LIFE 報廢管控使用 D/A DN出水不良改善  公司名稱: 日月光半導體製造股份有限公司 公司成立: 73年03月23日 日月光集團提供客戶IC及系統兩大類的服務，其服務範圍包括： IC服務 ? 材料：基板設計、製造 測試：前段測試、晶圓針測、成品測試 封裝：封裝及模組設計、IC封裝、多晶片封裝、 微型及混合型模組、記憶體封裝 系統服務 模組及主機板設計、產品及系統設計、系統整合、後勤管理 封裝製程介紹 晶圓研磨 ( Wafer Back Grinding) 該製程的主要目的是將加工製程完成之晶圓，研磨至適當的厚度，以配合產品結構之需求，由於封裝體逐漸演變至薄型化 (Thin Package)，如1.0mm 膠體厚度之TSOP 、TSSOP及TQFP 等，因此晶圓必須加以研磨。 欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，該製程的主要目的是將加工製程完成之晶圓，將晶圓利用膠膜固定於框架上。 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒 (die)切割分離。欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後之晶粒井然有序排列於膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。 黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導線架上並以銀膠(epoxy)塗抹在DIE PAD上面（成“米”字），再以黑色的真空吸筆將晶粒吸取放置在DIE PAD上面，再經過烘烤（將銀膠中的銀粉和基板和晶粒發生鍵結）而緊密的結合。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設備送至彈匣（magazine）內，以送至下一製程進行銲線。 銀膠烘烤 (Epoxy Cure) 銀膠材料上晶片站。由於銀膠的運用，所以必須執行 銀膠烘烤(通常是175度C)，在烤箱中大約烘烤 60至 90分鐘時間使連著材料固化而讓晶片穩定在釘架或基板上。 WB利用超音波將WIRE(Au)和DIE和基板上的FINGER產生鍵結銲線乃是將晶粒上的接點以極細的金線(18～50μm)連接到導線架之內引腳，進而藉此將IC晶粒之電路訊號傳輸至外界。 封膠之主要目的為防止濕氣由外部侵入、以機械方式支持導線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置於框架上並預熱，再將框架置於壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填並待硬化。 蓋印的目的，在註明產品之規格及產品製造者等訊息，封膠完後，一般先蓋背印以避免產品混淆，而在電鍍後蓋正印。蓋印的形式依產品的需求而有所不同，目前塑膠封裝中有油墨蓋印（Ink Marking）及雷射蓋印（Laser Marking）兩種方式。 電鍍的主要目的在於增加外引腳之導電性及抗氧化性，並且防止引腳產生生鏽的情形，由於電鍍機台的設置牽涉到環保標準等問題，在目前設置的新封裝廠中一般皆外包，由相關電鍍廠負責電鍍。 剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，並把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的 則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀，以便於裝置於電路版 上使用。剪切與成形主要由一部衝壓機配上多套不同製程之模具，加上進料及出料機構所組成。 檢驗之目的為確定構裝完成之產品是否合於使用。其中項目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗。 結論 在改善過程中可發現效率提升並非作業者單方面努力既可大幅提升，大部份的改善項目必須藉由產線幹部來規劃安排或教導，才能發揮最大效果，所以除了作業者的積極度，幹部本身的手法應用及規劃能力也是需做探討及學習的，而本次的改善也非到此就止步，效率的提升必需持續去進行及督促，才可預防效率之下滑，創造出更多的利益價值。 Thank you for your attention 新型Block機台作業評估 D/A#037作業 155各子批，共677490ea並沒有發生溢膠情形 2.D/A#041作業 124各子批，共123161ea只發生1ea溢膠情形 DN追蹤 AS-IS TO-BE D/A#044作業,Index水平不佳x3件 Hitachi作業x1件 D/A#036,043作業,Clamp不佳x2件 Hitachi作業x2件 2008x1件 ASM作業x1件 參考資料: 日月光網站 IC封裝多媒體教材 .tw/mechelec/Jc/home.htm 1.是否考慮加入本課程的子單元目錄索引??若否,請說明原因 就目前所看到的版面來說,色調配置簡單,功能選項亦不複雜,對於學習者而言,可將焦點集中於此一單元的學