GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型 Transient-state thermal model of GaAs MESFET microwave pulsed power amplifier.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型 Transient-state thermal model of GaAs MESFET microwave pulsed power amplifier.pdf

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电子测量技术第卷第期 Z9 5 ELECTRONiC MEaSUREMENT TECHNOLOGY 年月 Z00 10 Gaas MESFET 脉冲微波功率器件瞬态热场模型熊小明郭世岭周卫 !航天二院所专业部北京 Z3 100854 摘要! 微波功率放大器工作在脉冲周期状态下由于自热效应在很短的时间内数量级 Gaas MESFET 100 s 卜芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的本文通过建立求解热扩散方程及能量平衡方程建立起沟道温度的一维瞬态热模型关键词!Gaas MESFET 脉冲微波功率放大器自热效应瞬态热模型 Transient-state thermal model of gaAsMESFET microwave ulsed ower am lifier p p p Xion Xiaomin Guo Shilin Zhou Wei g g g No. Z3 institute of China aeros ace Science industr CORP. Bei in 100854 p y g Abstract The tem erature of chi channel rise in the Gaas MESFET microwave ower am lifier which acts as ulse p