100 mF·Vg钽粉在片式钽电容器上的应用研究 Research on Application of 100 mF · Vg Tantalum Powder in Tantalum Chip Capacitor.pdfVIP

第27 卷第3 期 电子工艺技术 2006 年5 月 EIectronics Process TechnoIogy 141 100 mF ·V / g 钽粉在片式钽电容器上的应用研究 侯宝峰，湛永中，马翠英 （宁夏星日电子股份有限公司，宁夏 石嘴山 753000 ） 摘 要：通过对100 mF ·V / g 钽粉电性能研究，及对成型、赋能、被膜关键工序进行研究，用此 钽粉生产出两种代表规格的钽电容器6. 3 V 10 !F（S ）、10 V 47 !F（B ），同时确定了钽粉的适用范 围为16 V 和16 V 以下的钽电容器。 关键词：钽粉；片式钽电容器；赋能；被膜 中图分类号： !535 # 1 文献标识码：$ 文章编号：1001 - 3474（2006 ）03 - 0141 - 05 Research on Application of 100 mF ·V / g Tantalum Powder in Tantalum Chip Capacitor HOU Bao - feng ，ZHAN Yong - zhong ，MA Cui - ying （Ningxia Xingri Electronics Co. ，Ltd ，shizuishan 753000 ，China ） Abstract ：made a research on eIectricaI performance of 100 mF ·V / g tantaIhm powder and shch key processes as peIIet pressing ，formation and manganizing ，then fabricated typicaI tantaIhm capacitors with two ratings 6. 3 V 10 !F（S ）、10 V 47 !F（B ）by hsing 100 mF ·V / g tantaIhm powder. It is concIhded that 100 mF ·V / g tantaIhm powder is shitabIe for prodhcing tantaIhm capacitor with rating of 16 V or be- Iow 16 V. key words ：TantaIhm powder ；Chip tantaIhm capacitor ；Formation ；manganizing Document Code ：$ Article ID ：1001 - 3474（2006 ）03 - 0141 - 05 钽电容器在20 世纪50 年代由贝尔试验室研制 150 mF ·V / g 。这些都为钽电容器小型化提供了很 成功以来，以其优越的电气性能、储存电荷能力及对 好的原料保证。本文主要通过研究选用6. 3 V 10 恶劣环境的适应性等方面的优点，被广泛应用于彩 !F（S ）、10 V 47 !F（B ）为代表规格，研究100 mF · 电、电话机、摄录像机、数码相机、计算机、程控交换 V / g 钽粉在片式钽电解电容器上的应用。片式钽电 机等工业和国防领域［1］。近几年来，随着手机、个 容器制造工艺流程如图1 所示。 人电脑、数码照相机、助听器、移动办公用具的小型 化，以及高频电路要求缩短元器件之间的路径长度 来降低电感和电阻，要求电子元器件微型化是一种 趋势。对于片式钽电容器，小型化、大容量是其发展 的趋势，要设计生产小体积的钽电容器就必须使用 图1 钽电解电容器制造工艺流程 更高比容钽粉。钽粉的发展速