Ge,Al共掺SiO2薄膜的发光性能研究 Photoluminescence Properties of Ge and Al Co-Doped SiO2 Films.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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Ge,Al共掺SiO2薄膜的发光性能研究 Photoluminescence Properties of Ge and Al Co-Doped SiO2 Films.pdf

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1 DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．03．01 Ge，AI共掺Si02薄膜的发光性能研究陈虎，王加贤，张培 (华侨大学信息科学与工程学院，福建厦门361021) 摘要：用射频磁控溅射法制备Ge，A1共掺SiO，复合薄膜并以不同温度进行退火，得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600oC退火的薄膜样品在260nm谱线激发下，主要有398和 494 nm发光峰。通过对样品的x射线衍射谱和x射线光电子能谱的测试，确定了薄膜的结构特征，同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析，认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心 nm发光峰的主要原因。中的三重激发态到基态(T．一S。)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 实验结果表明，Al的掺入可能在GeO，晶粒中引入了新缺陷能级，从而产生494nm这一特殊的发光带，同时Al的掺入也提高了398nm发光峰的发光效率。 · 关键词：光致发光；Ge，A1共掺SiO，复合薄膜；PL谱；缺陷中心；磁控溅射中图分类号：0484．41文献标识码：A PhotoluminescenceofGeandAi Films Properties Co-DopedSi02 Chen Pei Hu，WangJiaxian，Zhang Scienceand (CollegeofInformationEngineering，HuaqiaoUniversity，Xiamen361021，China) GeandAI filmswere RF Abstract：TheCO-dopedSi02 preparedby magnetronsputteringtechnique andthermal annealedat600。C showeda annealing．Thesample mainly special to and nm under260nmbeam． offroom luminescenceof398 494 with propertygive temperature exciting Thestructurethese films andPL andthenthe PL of wasstudiedXRD．XPS special by techniques special theorieswere and398nmbeam areattributedtotwo—fold spectra explained．414 photoluminescences coordinatedsilicon centersandtheradiationtransitionfromexcited statesto long—pair triplet ground statesof colorcenters resul