锥形半导体激光芯片的光刻工艺研究-发光学报.PDF

第３７卷　 第１２期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３７ Ｎｏ１２ ２０１６年１２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｄｅｃ. ꎬ２０１６ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１６)１２￣１５０２￣０５ 锥形半导体激光芯片的光刻工艺研究 ∗ 李　 景ꎬ邱运涛 ꎬ曹银花ꎬ王　 青ꎬ尧　 舜ꎬ 许商瑞ꎬ秦文斌ꎬ刘友强ꎬ王智勇 (北京工业大学 激光工程研究院ꎬ北京　 １００１２４) 摘要:针对锥形半导体激光器中的脊形波导区宽度较小的问题ꎬ对半导体激光芯片制造中的刻蚀标记及刻 蚀方法进行了研究ꎮ 提出对于锥形半导体刻蚀中的脊型区域和锥形区域ꎬ采用不同精度的双标记刻蚀方法ꎬ 细化对脊形波导和锥形波导的刻蚀中的对准问题ꎬ并使光刻标在不同的光刻版上相错位排列ꎬ在相应光刻版 中相互遮挡ꎬ反复刻蚀中保证相应的光刻标清晰、完整ꎮ 刻蚀后的芯片在电流为７ Ａ 时获得了中心波长９６３ ｎｍ、连续功率４.０２６ Ｗ、慢轴方向和快轴方向激光光束参数乘积分别为１.５９３ ｍｍ ｍｒａｄ和０.６６８ ｍｍ ｍｒａｄ 的激光输出ꎮ 关　 键　 词:锥形半导体激光器ꎻ脊形波导ꎻ光刻标ꎻ芯片刻蚀 中图分类号:ＴＮ２４ꎻＴＮ３１　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１５０２ Ｐｈｏｔｏｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ Ｔａｐｅｒｅｄ Ｄｉｏｄｅ Ｌａｓｅｒ Ｗａｆｅｒ ∗ ＬＩ ＪｉｎｇꎬＱＩＵ Ｙｕｎ￣ｔａｏ ꎬＣＡＯ Ｙｉｎ￣ｈｕａꎬＷＡＮＧ ＱｉｎｇꎬＹＡＯ Ｓｈｕｎꎬ ＸＵ Ｓｈａｎｇ￣ｒｕｉꎬＱＩＮ Ｗｅｎ￣ｂｉｎꎬＬＩＵ Ｙｏｕ￣ｑｉａｎｇꎬＷＡＮＧＺｈｉ￣ｙｏｎｇ (Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｌａｓｅｒ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＢｅｉｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １００１２４ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｑｙｔ＠ｂｊｕｔ.ｅｄｕ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｆｏｒｔｈｅｖｅｒｙ ｎａｒｒｏｗ ｒｉｄｇｅｗａｖｅｇｕｉｄｅｗｉｄｔｈꎬｔｈｅｅｔｃｈｉｎｇｍａｒｋｓａｎｄｅｔｃｈｉｎｇｍｅｔｈｏｄｓｉｎｔｈｅ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｔａｐｅｒｅｄｌａｓｅｒ ｃｈｉｐｗｅｒｅ ｓｔｕｄｉｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ. Ｔｈｅｄｏｕｂｌｅｐｈｏｔｏ￣ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｍａｒｋｕｓｉｎｇｔｗｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｐｒｅｃｉｓｉｏｎｓｆｏｒ ｔｈｅｒｉｄｇｅ ａｒｅａ ａｎｄｔｈｅｔａｐｅｒｅｄ ａｒｅａｗａｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｔｏ ｒｅｆｉｎｅｔｈｅ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｉｎｔｈｅ ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ ｒｉｄｇｅｗａｖｅｇｕｉｄｅ ａｎｄｔａｐｅｒｅｄｗａｖｅｇｕｉｄｅ. Ｔｈｅｐｈｏ￣ ｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｍａｒｋｓ ｗｅｒｅ ａｒｒａｎｇｅｄ ｉｎ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｐｌａｃｅ ｉｎ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｆｉｇｕｒｅꎬ ａｎｄ ｔｈｅｙ ｉｎｔｅｒａｃｔｅｄ ｅａｃｈ ｏｔｈｅｒ ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｋｅｅｐｔｈｅｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｍａｒｋｓｃｌｅａｒ ａｎｄｃｏｍ￣ ｐｌｅｔｅ ｉｎ ｒｅｐｅａｔｅｄ ｅｔｃｈｉｎｇ. Ｂｙ ｕｓｉｎｇ ｔｈｉｓ ｍｅｔｈｏｄꎬｔｈｅ ｅｔｃｈｅｄ ｃｈｉｐ ｄｅｌｉｖｅｒｓ４.０２６ Ｗ ＣＷ ｏｕｔｐｕｔ ａｔ７ Ａ ｃｕｒｒｅｎｔ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｃｅｎｔｅｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ９６３ ｎｍꎬ