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铌酸锂芯片上纠缠光源产生和调控.PDF
第四届全国原子分子光物理
青年科学家论坛
铌酸锂芯片上纠缠光源产生和调控
徐平
南京大学
2014.10.11太原
报告内容
研究背景
量子集成光学铌酸锂晶体
研究内容
铌酸锂光子芯片设计与实现
研究计划
总结和致谢
半导体集成电路的启示
1996, Intel
1945, MIT
芯片化是信息时代
的必然趋势
•成本降低(功耗;加工)
•性能提升(复杂度;稳定性)
量子集成光路
(Quantum integrated circuits )
稳定;
可扩展(提升复杂
度);
CNOT gate on a chip
小型化
2 cm
Science 320, 646-649 (2008) (J. L. OBrien group)
— Controlling photonic spatial qubits on silica-on-silicon waveguide
我们的研究动机:
片上集成量子光源,实现纠缠产生与操控一体化,实现量子光
源芯片,进而实现集成化量子信息处理
+
外部体快量子光源 线性光学量子芯片 含非线性量子芯片
铌酸锂光子芯片 6
为什么选择铌酸锂晶
体?
二阶非线性
电光效应
(调制速度40GHz, 100GHz in lab)
可加工成波导
可极化,准相位匹配技术
铌酸锂光学超晶格产生纠缠光源的特点
+ +
ˆ ˆ
Ψ ψ δ k =+k +G −k a a
0 ∑ ( s i p ) s i 0
ks ,k i
不同结构的光学超晶格
效率高,体块晶体中提高1-2量
级,波导中提高4-5个量级
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