铌酸锂芯片上纠缠光源产生和调控.PDF

第四届全国原子分子光物理 青年科学家论坛 铌酸锂芯片上纠缠光源产生和调控 徐平 南京大学 2014.10.11太原 报告内容 研究背景 量子集成光学铌酸锂晶体 研究内容 铌酸锂光子芯片设计与实现 研究计划 总结和致谢 半导体集成电路的启示 1996, Intel 1945, MIT 芯片化是信息时代 的必然趋势 •成本降低(功耗；加工) •性能提升（复杂度；稳定性） 量子集成光路 （Quantum integrated circuits ） 稳定； 可扩展（提升复杂 度）； CNOT gate on a chip 小型化 2 cm Science 320, 646-649 (2008) (J. L. OBrien group) — Controlling photonic spatial qubits on silica-on-silicon waveguide 我们的研究动机： 片上集成量子光源，实现纠缠产生与操控一体化，实现量子光 源芯片，进而实现集成化量子信息处理 + 外部体快量子光源 线性光学量子芯片 含非线性量子芯片 铌酸锂光子芯片 6 为什么选择铌酸锂晶 体？ 二阶非线性 电光效应 (调制速度40GHz, 100GHz in lab) 可加工成波导 可极化，准相位匹配技术 铌酸锂光学超晶格产生纠缠光源的特点 + + ˆ ˆ Ψ ψ δ k =+k +G −k a a 0 ∑ ( s i p ) s i 0 ks ,k i 不同结构的光学超晶格 效率高，体块晶体中提高1-2量 级，波导中提高4-5个量级