隐埋层中二维效应对全耗尽犁犗犐非对称犎犃犔犗结构阈值电压的影响.PDF

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ３ 犞狅犾．２９ 犖狅．３ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ３ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犕犪狉．２００８ 隐埋层中二维效应对全耗尽犛犗犐非对称犎犃犔犗结构 阈值电压的影响 ， １ １ ２ １ 许 剑 丁 磊 韩郑生 钟传杰 　 　 　 　 　 （ 江南大学信息工程学院，无锡 ） １ ２１４０００ 　 （ 中国科学院微电子研究所，北京 ） ２ １０００２９ 　 摘要：在非对称 犎犃犔犗结构的全耗尽 犛犗犐二维阈值电压解析模型的基础上，对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行 了讨论 通过与一维模型的比较，说明在深亚微米 器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效 ． 犛犗犐犕犗犛犉犈犜 应 新模型结果与二维数值模拟软件 吻合较好 ． 犕犈犇犐犆犐 ． 关键词：阈值电压；二维效应；全耗尽 ； 结构 犛犗犐 犎犃犔犗 ： ； 犈犈犃犆犆 ２５６０犚 ２５６０犅 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０３ 犃 ０２５３４１７７２００８０３０５５９０４ 　　　 　　　 （，）为沟道中电势分布 Φ１犼 狓狔 引言 （，）为隐埋氧化层中的二维电势 １ Φ２犼 狓狔 　 Φ狋为正界面处电势分布 犼 随着全耗尽 犛犗犐技术的发展，特征尺寸得到进一步