氮化镓低维材料制备与物性.docVIP

氮化鎵低維材料的製備和物性? Preparation and Physical Properties of Low Dimensional GaN Materials? ??????????????? 撰稿／陳小龍? ??? 一、 研究目的和意義??? Ⅲ族氮化物GaN，A1N，InN可形成連續固溶體，其帶隙能夠覆蓋從1．8eV的紅光波段到6．2eV的紫外波段，是制做紅、黃、綠，特別是藍光發光二極體(LED)和鐳射二極體(LD)、大功率電晶體的理想材料，在可見光源和紫外光源領域有著廣闊的應用前景。例如：藍光LD鐳射可使光碟存儲密度提高一個數量級，可使鐳射列印速率提高一個數量級以上。此外，GaN是寬帶隙半導體，加上其自身具備的良好的導熱性，也是製造大功率電晶體方面最佳的材料之一。最近美國康奈爾大學成功地研製成了GaN電晶體，其微波輸出功率是目前移動電話、軍用雷達和衛星轉播器所使用的電晶體的數百倍之多，將為通信技術帶來巨大的變化。隨著微電子和光電子器件突飛猛進的發展，其集成化程度越來越高，單個元件的尺寸已達亞微米量級。可以預見在不久的將來，單個元件的尺寸將向納米尺寸挺進。GaN作為一種重要的第三代半導體材料，研究其低維材料的製備和物性，不僅可以深入認識其新的物理特性，如量子尺寸效應，而且可以為將來製備納米器件，提供技術儲備。理論及實驗證實，GaN納米材料能夠在很大程度上改善藍／綠光和紫外光電器件的性能。原因在於：①從理論上說，利用量子線／點製備的發光及鐳射二極體能夠顯著改善其光學性能，例如出現較低的閾值電流和閾值電流對溫度的較小的依賴性等；②當顆粒尺度小於其激子玻爾半徑時，就會出現量子限域效應，並進而導致更佳的非線性光學性能及發射性能。 ??? 二、 取得的重要進展 ??? 1. 發展了氮化鎵納米線製備的新方法目前國內外都已投入了相當大的力量進行GaN納米線或納米棒的研製工作。目前GaN納米線都是利用範本所提供的空間限制化學反應或生長來製備的，常用的範本材料有碳納米管、微孔Al2O3和GaAs納米線等。用這種空間受限反應或生長製備GaN納米線或納米棒，其直徑和形貌均對範本有強烈的依賴性，目前所報導的大部分GaN納米線是表面粗糙的彎曲納米線，而其表面粗糙度會在很大程度上影響近帶隙發光，因此，獲得直而長且表面光滑的GaN納米線就顯得非常重要了。另一方面，相對來說，目前所採用的空間限制方法，工藝也較為複雜。??? 我們發展了一種新的生長GaN納米線的方法，該方法不需要範本，直接在LaAlO3，石英和MgO等晶體襯底上利用金屬和氨氣反應的氣相法製備光滑且直的GaN納米線。該方法的關鍵是在合適的晶體襯底上散佈某種納米尺寸的催化劑和供質反應氣體的穩定性和方向性。通過控制這兩個主要參數，我們獲得了平直且表面光滑的GaN納米線。我們的實驗結果表明，不僅3d過渡族金屬，如Fe，Co，Ni等是製備GaN納米線的有效催化劑，而且其氧化物具有同樣的催化作用。在實驗過程中，首先將少量3d過渡族金屬的硝酸鹽溶于水或酒精中，製成濃度極低的溶液。將拋光的LaAlO3、SiO2、MgO晶體襯底侵入溶液，再很快取出並在陰涼處晾乾。然後在Ar氣保護下900℃加熱數小時。掃描電鏡結果表明，粒度在8~30nm的催化劑顆粒均勻分佈在晶體襯底上。然後將金屬Ga和襯底放入石英管內，兩者相距15mm左右，在Ar氣保護下加熱至920-940℃，再通NH3 5min，隨爐冷卻至室溫，在襯底上生長的GaN納米線如圖1所示。納米線的直徑為10~40nm，表面光滑且無彎曲。X射線衍射和透射電鏡分析表明生長的GaN納米線屬六方結構，其點陣常數為a=0．318nm，c=0．518nm(圖2)。高分辨電鏡分析表明生長的GaN納米線是實心的，而非納米管。納米線由(001)晶面沿徑向堆垛，生長方向為[120]光致螢光測量表明GaN納米線的帶隙發光具有藍移現象，從塊體GaN的365nm移至342nm。催化劑顆粒的粒度、氣流量、溫度等因素對所製備的GaN納米線直徑和形貌存在很大影響。此外，用同樣的方法，我們還成功地製備出了AIN的納米線。由於這是一種非空間受限反應模式，擺脫了範本對GaN納米線的影響，且簡化了工藝，因此是一種獲得高質量納米線的有效方法，對於今後納米發光器件的製備及 研究工作具有重要的應用價值和科學意義。 ??? 2．發展了氮化鎵量子點製備的新方法??? 一般製備量子點採用的是光刻法和Stranski-Krastanov(S-K)生長模式。第一種方法出於其方法本身的局限性，已基本不再常用。而第二種方法則是利用MBE和MOVPE，通過基底和外延膜的品格失配而誘導產生的，目前普遍採用這種方式。在這種模式中，先沉積一層2D潤濕層，通過3D島的形成產生塑性馳豫，並進而形成一個自由