17GHz 压控FBAR 振荡器设计.PDF

1.7GHz 压控 FBAR 振荡器设计 张大为 童筱钧 (江南大学信息工程学院微电子系，无锡 214122) 摘要：本文介绍了薄膜体声波谐振器（FBAR ）的基本原理和几种主要结构。讨论了 FBAR 薄膜生长的工艺过程，并给出了本实验各层薄膜的生长条件，本试验所制作的 FBAR 采用 固态装配型结构，经测量得FBAR 的谐振频率为 1.7GHZ。最后根据FBAR 谐振频率随着电 压变化的特性设计出基于 FBAR 的Colpitts 压控振荡器，解决了由于在压控振荡器中使用变 容二极管作为调频元件所引入大量的噪声造成振荡器整体性能降低的问题。 关键字：谐振器，薄膜体声波谐振器，振荡器设计 中图分类号：TN65 文献标识码：A The Design Of 1.7GHZ Colpitts-type FBAR Voltage Controlled Oscillator Zhang Da Wei, Tong Xiao Jun （department of microelectronic, Jiangnan University, 214122, WuXi, China ） Abstract: the paper presented the characteristics and three common constructs of the thin film acoustic wave resonator(FBAR),and discuss the processing of FBAR film.. The frequency of the FBAR in this paper is 1.7GHz. Designed a FBAR based oscillator, though, doesn’t have to rely on a varactor diode for the frequency tenability, since FBAR’s resonant frequency can be tuned by a DC voltage. A varactor diode is widely used for frequency tenability of VCO, but contributes niose to the oscillator, deteriorationg phase noise performance of the oscillator. Key words: resonator, FBAR, oscillator design 1.引言： 早在 20 世纪 80 年代前期就同时有三篇论文[3-5]介绍薄膜体声波谐振器(Thin Film Acoustic Wave Resonator 简称为 FBAR) ，第一篇涉及到FBAR 的真正实用价值的是Lakin 发 表于 1982 年[6]。然而，当时很少有人关注该论文中所提到的一些东西，由于FBAR 的应用 很少，而且几乎没有人对 FBAR 的研究感兴趣。安捷伦公司通过八年的努力，在2001 年开 始量产由于手机的射频前段滤波的 FBAR 双工滤波器。从那以后，FBAR 成为了一个研究热 点，出现了 2GHZ 频率的带通滤波器的商业产品。并且在继续研究用于 GHZ 以上频率振荡 器的高 Q 值 FBAR 。在对WLAN 以及4G 手机通讯系统市场的探索，高至 5GHZ 的 FBAR 滤波器和振荡器将会得到广泛的应用。 2.薄膜体声波谐振器的工艺制作 FBAR 是一种利用逆压电效应，通过电场能量-声学能量- 电场能量的转换实现电学选频 的器件。FBAR 的基本原理：当在FBAR 上施加电场时，谐振器中的薄膜通过逆压电效应将 电信号转换为声信号，器件特有的声学结构对于不同频率的声信号进行选择，其中满足声波 全反射条件的声信号在谐振区内实现谐振，而不满足谐振条件的声信号就会衰减，与谐振频 率相差越远的声信号衰减得越快。最后，在谐振器内幅度相位已产生差异的声信号又通过压 电效应转换成电信号。这样FBAR 实现电学选频。