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高效率氮化镓发光二极体成长于奈米压印技术锥形二氧化矽图形化基板.PDF
NANO COMMUNICATION 20No. 2
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Highly Efficient GaN-based Light-emitting
Diodes on Cone-shaped SiO2 Patterned
Template by Nanoimprint Lithography
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Abstract
In t his st udy, we successf ully t ransferred t he patterns of a cone-shaped patterned
sapphire subst rate (CPSS) into SiO2 layer to fabricate a cone-shaped SiO2 patterned
template by using nanoimprint lithography (NIL). The GaN-based light-emitting diodes
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(LEDs) were grow n on t his template by metal–organic chemical vapor deposition (MOCV D). T he t ransmission elect ron
microscopy (T EM) images suggest that the stacking faults formed near the cone-shaped SiO2
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