半导体物理与pn 接面二极体元件分析.PDF

半導體物理與pn 接面二極體元件分析 概 述 構成固態電子元件之主要材料為半導體 (Semi-conductor) ，因此欲瞭解構成電子電路之主動元 件，如二極體 (Diode) 、電晶體 (Transistor) 及積體電路 (Integrated circuit) 是如何工作，必須 對半導體物理現象有基本之認識。 本章首先討論半導體之基本物理觀念後，接著介紹二極體之斷路與接受偏壓時之pn 接面特性 、伏 特 - 安培特性曲線 ，接著討論溫度變化對 pn 接面二極體物理特性之影響，最後再描述二極體之 交、直流等效電路模型。 半導體簡介 半導體之導電性為介於導體與絕緣體之間的物質，此材料之優點在於它可以經由改變雜質之摻雜 濃度 ，而大幅改變其導電率 ，藉此可用電場來控制流通於此材料的電荷之多少與方向。 半導體材料可經由摻雜不同種類之雜質 ，而得到p 型與 n 型兩種不同導電性之半導體。其中 n 型 半導體之電流傳導是由電子的移動所控制；而p 型半導體之電流傳導是由電洞的移動所控制，經 由此兩種形式半導體的組合，便可製作不同幾何結構之電子元件。 半導體材料已被詳細的研究過，其中以矽 (Si) 和鍺 (Ge) 是電子元件中兩種主要之半導體材料， 其中又以矽質元件佔大部分。 不含雜質之純半導體稱為本質半導體 (Intrinsic semiconductor) ，( 如在晶體內每個原子都是矽原 子，此矽晶體就是本質半導體 ) ，當本質半導體之一共價鍵斷裂時會產生一個自由電子與一個電 p n n 。 洞，所以其電洞濃度p 應該等於電子濃度 n ，即 i 含雜質之半導體稱為外質 (Extrinsic) 半導體，或稱摻雜 (Doped) 半導體。 若所加之雜質為五價的原子，這些雜質施放額外之電子載子，因此稱為施體 (Donor) 雜質，或 n 型雜質，則此半導體稱為 n 型半導體 。當本質半導體摻入n 型雜質後，其電子數目會顯著的增加 ， 且會使電洞之數目急遽的降低至本質半導體正常應有之數目以下，所以其多數載子 (Majority carriers) 為帶負電之電子 ； 若所加之雜質為三價的原子，這些雜質能接受額外之電洞載子 ，因此稱為受體 (Acceptor) 雜質， 或p 型雜質，則此半導體稱為p 型半導體 。當本質半導體摻入p 型雜質後，其電洞數目會顯著的 增加 ，且會使電子之數目急遽的降低至本質半導體正常應有之數目以下，所以其多數載子為帶正 電之電洞 。 半導體中之電流 電子及電洞的移動率 (Mobility) μ 會隨溫度變化而成 T −m 變化 ( μ ∝T −m ) ，亦即在高溫時會有 更多之載子出現，而且這些載子擁有更多之能量。 對本質半導體而言，因為其成對之電子－電洞增加量大於移動率減少量，所以當溫度升高時，電 子電洞對會隨之增加，因此其導電率變大 。 對外質半導體 ，當溫度升高時其多數載子數目幾乎不變，但其移動率會降低，所以其導電率會隨 溫度之上升而下降 。 除了電流之傳導外，在半導體中電荷之移動亦可藉由擴散 (Diffusion) 方式來達成( 這現象在金 屬中是沒有的 ) 。因半導體內之載子濃度不可能是均勻分佈的，電洞之濃度 p (或電子之濃度 n) 會隨半導體內之距離 x 而變化，如下圖所示。 p (0) p (x) JP 擴散電流密度 x = 0 x 因有濃度梯度存在，意味著半導體表面濃度 ，一邊比另一邊高，且