反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用3.PDF

　第 19 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 4　 V o l N o 　1998 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r 反向关态电流在热载流子蜕变 效应研究中的应用 张　炯　李瑞伟　钱　伟 (清华大学微电子学研究所　北京　100084) 摘要　本文研究了 ’器件的反向关态电流( ) 特性. 我们发现, 刚受过热载流子 nM O SFET s I offr ( ) 应力的器件 I offr 呈现一个突然的增高, 而在随后的一段时间里 我们定义其为弛豫时间 又呈 指数下降, 这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的. 所以我们认为 I offr 不但可以作为热空穴注入的有力证据, 而且可以作为热空穴研究的有效手段. : 0170 , 2560 EEACC N R 1　引言 随着集成电路的发展, 器件尺寸不断缩小, 热载流子蜕变效应成为其发展的一个重要限 [ 1, 2 ] 制因素 . 热载流子效应的研究作为一个重要课题, 一直为国内外有关研究者所重视. [ 1～ 3 ] 比较经典的观点认为热电子的注入是器件热载流子失效的主要原因 . 但是 H ere [ 4～ 6 ] m an s 等人认为热空穴的注入在器件热载流子失效中也起着重要的作用 . 虽然后者的观 点为很多人所接受, 但问题是, 目前还缺乏热空穴注入研究的有力手段. 器件的阈值电压, 跨 导等参数的变化(V th , Gm ) 更多地只是反映了热电子的注入. ( ) 程玉华等人研究了不同应力 热电子应力和热空穴应力 后器件阈值的不同变化趋势, 希望能揭示热空穴注入的存在和作用[ 7, 8 ] , 但其实验中对电子注入和空穴注入应力的划分却 值得推敲. 我们在 ’ 热载流子蜕变效应的研究中发现, 当器件受热载流子应力作用 nM O SFET s ( ) 后, 反向关态电流 I offr , 即交换应力时的源、漏区测得的漏端电流 表现出有意义的规律性变 化. 进一步的研究表明, I offr 的这种变化反映了热空穴注入及衰变过程. 所以 I offr 可以作为热 空穴注入的表征参数. 2　器件制备及实验说明 ( ) 实验用的器件由我所 1 工艺线