第4课应用系统设计.pptVIP

第4章 应用系统设计 4.1 系统设计概述 4.2 ARM920T简介 4.3 S3C2410X处理器详解 4.4 单元电路设计 4.5 存储器系统设计 4.6 JTAG调试接口设计 4.7 综合训练之通过JTAG访问外设 4.1 系统设计概述 4.2 ARM920T简介 ARM920T系统结构分析 ARM920T内核编程模型 4.3 S3C2410X处理器详解 S3C2410X及片内外围简介 特殊功能寄存器 4.4 单元电路设计 电源电路设计 晶振电路设计 复位电路设计 串行接口电路设计 4.5 存储器系统设计 8位存储器接口设计 Flash接口电路设计 SDRAM接口电路设计 4.6 JTAG调试接口设计 JTAG综述 TAP状态机 接口电路设计 4.7 综合训练之通过JTAG访问外设 烧写Flash 访问处理器寄存器 尽管硬件选型与单元电路设计部分的内容是基于S3C2410X的系统，但由于ARM体系结构的一致性和常见外围电路的通用性，只要读者能真正理解本部分的设计方法，那么由此设计出基于其他ARM微处理器的系统，应该也是比较容易的。 4.4.1 电源电路设计 4.4.2 晶振电路设计 4.4.3 复位电路设计 4.4.4 串行接口电路设计 S3C2410X微处理器的主时钟可以由外部时钟源提供，也可以由外部振荡器提供，如图4.17所示，采用哪种方式通过引脚OM[3:2]来进行选择。 ? OM[3:2]=00时，MPLL和UPLL的时钟均选择外部振荡器； ? OM[3:2]=01时，MPLL的时钟选择外部振荡器；UPLL选择外部时钟源； ? OM[3:2]=10时，MPLL的时钟选择外部时钟源；UPLL选择外部振荡器； ? OM[3:2]=11时，MPLL和UPLL的时钟均选择外部时钟源。 该系统中选择OM[3:2]均接地的方式，即采用外部振荡器提供系统时钟。外部振荡器由12MHz晶振和2个15pF的微调电容组成。 在该系统中，设计了3种存储器接口电路，Nor Flash接口、Nand Flash接口和SDRAM接口电路。引导程序既可存储在Nor Flash中，也可存储在Nand Flash中。而SDRAM中存储的是执行中的程序和产生的数据。存储在Nor Flash中的程序可直接执行，与在SDRAM执行相比速度较慢。存储在Nand Flash中的程序，需要拷贝到RAM中去执行。 4.5.1 8位存储器接口设计 4.5.2 Flash接口电路设计 4.5.3 SDRAM接口电路设计 由于ARM微处理器的体系结构支持8位/16位/32位的存储器系统，相应地可以构建8位的存储器系统、16位的存储器系统或32位的存储器系统。32位的存储器系统具有较高的性能，而16位的存储器系统则在成本及功耗方面占有优势，而8位的存储器系统现在已经很少使用。 1．Nor和Nand Flash的区别 Nor的特点是XIP（eXecute In Place，芯片内执行）特性，这样，应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。Nor的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。Nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。 （1）性能比较。 Flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。Nand器件执行擦除操作是十分简单的，而Nor则要求在进行写入前先要将目标块内所有的位都写为0。 ? Nor的读速度比Nand稍快一些。 ? Nand的写入速度比Nor快很多。Nand的4ms擦除速度远比Nor的5s快。 ? Nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 （2）容量和成本。 Nand Flash的单元尺寸几乎是Nor器件的一半，由于生产过程更为简单，Nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。在Nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而Nor的擦写次数是十万次。 （3）接口差别。 Nor Flash带有SRAM接口，Nand器件使用复杂的I/O口来串行存取数据。 2．Nor Flash接口设计 3．Nand Flash接口电路设计 JTAG是Joint Test Action Group（联合测试行动小组）的简称，由于IEEE 1149.1标准是由JTAG这个组织最初提出的，最终由IEEE批准并且标准化的。所以IEEE 1149.1这个标准一般也俗称JTAG调试标准。 4.6.1 JTAG综述 4.6.2 TAP状态机 4.6.3 接口电路设计 JTAG标准主要用于芯片内部测试及对系