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2017-08-10 发布于河南
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第8期电子学报 V01．36No．8 2008年8月 A(1AELE(1RONlCASINICA Aug．2008 电子封装微互连中的电迁移尹立孟，张新平 (华南理工大学机械上程学院，广东广州510640) 摘要：随着电子产品不断向微型化和多功能化发展，电子封装微互连中的电迁移问题日益突出，已成为影响产品可靠性和耐久性的重要因素．本文在回顾铝、铜及其合金互连引线中电迁移问题的基础上，对目前微电子封装领域广泛采用的倒装芯片互连焊点结构中电迁移问题的几个方面进行了阐述和评价，其中包括电流拥挤效应、焦耳热效应、极化效应、金属间化合物、多种负载交替或耦合作用下的电迁移以及电迁移寿命预测等．关键词：电子封装；微互连；焊点；可靠性；电迁移中图分类号：麟．94 文献标识码： A 文章编号：0372．2112(2008)08．1610-05 in ofElectronic Micro—Interconnections Electromigration Packaging YIN Li·meng，ZHANGXin-ping (Sdool Scienceand China ofMechanicalEngineering，South withthe mJllialxlli刎onand ofelectronic ofmi— Abstract：Alongincreasing multi-functionality pfⅨhx魑，tI℃electromigration cro-interconnectionshasbecomeascvel己and tumedtobeall and concern．This issue，and important urgent reliabilitydurability pa- abriefoverviewonthe inaluminumand iIn日．caⅢ砣c60ns．andthendeliversare— perpresents electromigrtionproblem copperalloy viewthe coilnec60nwhichis in on i辎懈in solder mirco-electronic electa喇onflipchip currentlyemployedwidely packaging is眦sinclude a删crowamg effect，i11土em材【allic technology．These effect，jouletle础effect，polarity tionundermulti—loadsandlifetimeof electromigration． words：electronic Key