非易失存储器设计说明.docxVIP

“非易失存储器”设计说明程序设计框架说明本案例程序设计主要分为：24C02、按键、数码管显示三个模块。1.1宏定义#define FOSC//晶振频率#define T_ms 0.1//定时时间为0.1ms=100us#define NMAX_KEY 10 //计数消抖限定值2.2引脚定义/********24C02*******/sbit DAT=P4^0;//I2C总线的数据线sbit CLK=P5^5;//I2C总线的时钟线/********数码管显示******/sbit led=P2^3;//数码管与LED灯切换引脚sbit Key1=P3^2;//按下key1，向存储器写入数据并读取该地址的数据，显示在数码管上。sbit Key2=P3^3;//按下key2，要写入的数据加1sbit Key3=P1^7;//按下key3，要写入的地址加12.3 变量定义ucharduan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71}; //数码管段选，显示0-fucharwei[]={0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07}; //数码管位选uchar flag1;//数码管循环扫描变量ucharwrite_addr;//写入地址ucharwrite_date; //写入数据ucharread_date; //读出数据/********按键计数消抖变量******/ucharG_count;//定时器0中断计数值uint Key1_count;//KEY1键在1ms内达到低电平的次数uint Key2_count;//KEY2键在1ms内达到低电平的次数uint Key3_count;//KEY3键在1ms内达到低电平的次数uintKey_count;//由100递减到0的变量bit flg_1ms;//表示1ms时间到bit Key1_C;/*key1当前的状态*/bit Key1_P;/*key1前一个状态*/bit Key2_C;/*key2当前的状态*/bit Key2_P;/*key2前一个状态*/bit Key3_C;/*key3当前的状态*/bit Key3_P;/*key3前一个状态*/2、程序函数说明（1）延时程序void delay() //延时4usvoid delay(unsigned intxms) //延时xms（2）24C02读写函数void start();//主机发送的启动信号void respons()；//从机应答信号void stop()；//停止信号void writebyte(uchar da);//对24C16写一个字节数据ucharreadbyte();//从24C16中读一个字节数据void write_add(ucharaddr,uchar date);//对24C16的地址addr写入一个数据daucharread_add(ucharaddr);//从24C16的addr地址，读一个字节数据（3）数码管显示函数void SMG1 (uchar date1,uchar date2,uchar date3)；（4）定时器0 中断函数void Timer_T0() interrupt 1；//在定时器中短中调用数码管显示函数（5）系统初始化voidIIC_init(); //IIC总线初始化void Timer0_Init();//定时器0初始化void KEY_init();//按键消抖模块初始化2程序设计框架及关键技巧说明2.1 I/O引脚及相关寄存器配置 2.1.1 I/O引脚：(1)数码管位选引脚整个设置P2口的值;(2)数码管使能引脚sbitled = P2^3 ;(3)DS1302引脚sbit DAT=P4^0;//I2C总线的数据线sbit CLK=P5^5;//I2C总线的时钟线(4)按键引脚sbit key1 = P3^2 ;//写入数据并读取数据显示在数码管上sbit key2=P3^3;//写入的数据加1sbit key3=P1^7;//写入的数据的地址加12.2定时器0寄存器设置TMOD=0x00; //计时器0工作方式0，16位自动重装计数AUXR=0x80; //1T模式,T0x12=1,EA=1;//开总中断ET0=1;//开定时器0中断TH0=(65536-T_ms*FOSC/1000)/256;//给定时器赋初值TL0=(65536-T_ms*FOSC/1000);TR0=1;//启动定时器2.3程序流程图