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背散射电子衍射原理 * 背散射电子衍射的原理 Electron Back-Scatter(ed) Diffraction （EBSD） 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法 背散射电子衍射花样的采集与标定 背散射电子衍射分析基本原理 背散射电子衍射仪的工作原理图 背散射电子衍射技术原理 控制方式 电子束控制 样品台控制 散射电子强度随散射角的变化 EBSD样品相对于入射束的放置 背散射电子衍射技术原理 O Beam 菊池衍射花样的产生 背散射电子衍射技术原理 S 菊池衍射花样的接收 背散射电子衍射技术原理 10 10 100 100 1000 1000 FEGSEM W-SEM Resolution (nm) Probe current (nA) 100 200 300 400 500 0.5 0 1.0 1.5 Angular accuracy q95 (o) Probe current (nA) 20 keV, Al 20 keV, Al higher keV higher keV 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射的空间分辨率 70 ? 倾斜 0? 无倾斜 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射的空间分辨率 （a）平行于转轴，（b）垂直于转轴 背散射电子衍射技术原理 EBSD空间分辨率的测定 背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法 对样品的要求 样品能产生计算机可以识别且能正确标定的菊池衍射花样 要求样品表面平整，无较大的应变 样品的制备方法 金属样品：电解抛光 陶瓷样品：机械抛光 金属基复合材料：离子束刻蚀 实验需要的样品信息 样品中各相的晶体结构，原子在单胞中的位置坐标 菊池花样 背散射电子衍射花样的采集与标定 ＋ 定点 选择菊池线 Hough空间 花样标定 标定校正 晶体取向 hough 变换 背散射电子衍射花样的采集与标定 利用hough变换，将菊池衍射花样中的菊池线变换为hough空间（r，?）中的点 取向分析基本原理 晶体取向的表示方法 米勒指数： 欧拉角： 取向矩阵： 轴角对： 四元数法： 反映晶体转动过程中取向变化的取向矩阵 取向分析基本原理 晶体转动对应的欧拉角 ? 晶体坐标系 取向分析基本原理 样品坐标系的选择 晶体坐标系 a1，a2，a3 样品坐标系 RD，TD，ND 样品坐标系与晶体坐标系的相对关系 晶体取向分析基本原理 晶体坐标系和样品坐标系的变换 设 和 是同一方向分别用晶体坐标系 和样品坐标系表示的指数，则它们可用下式变换 其中M为取向变换矩阵，与欧拉角?1，?，?2有关 ? ?1 ?2 欧拉角 取向分析基本原理 欧拉角 欧拉角（?1，?，?2） 绕OZ轴旋转?1角； 绕OX1轴旋转?角， OZ轴到达OZ?轴位置； 绕OZ?轴旋转?2角， （XYZ）坐标系与 （X? Y? Z?） 坐标系 重合 取向分析基本原理 欧拉角的形成 ? x1 y1 y2 ? ?1 ?1 ?2 ?2 背散射电子衍射取向成像（OIM）原理 背散射电子衍射取向成像（OIM）原理 取向成像（OIM）示意图 背散射电子衍射取向成像（OIM）原理 取向成像图配色 *