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PN结工作原理-动态图画
PN结的形成 N P 扩散电流 图01.01.08 PN结的形成 N P 扩散电流 漂移电流 内电场 图01.01.08 PN结的形成 N P 扩散电流 漂移电流 内电场 图01.01.08 PN结的形成 以上在N型半导体和P型半导体结合面上形成的物理过程过程概括如下: 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 扩散电流 漂移电流 = PN加正向电压时的导电情况 IF 内电场 外电场 内电场 图01.01.11 PN结加正向电压 R E PN结加反向电压时的导电情况 内电场 内电场 图01.01.12 PN结加反向电压 R E 外电场 IS 图 01.01.13 势垒电容示意图 势垒电容CB 反向区 扩散电容CD 图 01.01.14 扩散电容示意图 因为搀杂浓度大约是本征硅原子浓度的百万分之一,在此将搀杂离子集中画出,是一个示意图。
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