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微电子工艺学 第一章 绪论 第二章 现代CMOS 工艺技术 第三章 晶体生长与衬底制备 第四章第四章 加工环境与基片清洗加工环境与基片清洗 第五章 光刻 第六章 热氧化 第七章 扩散掺杂 第八章 离子注入掺杂 第九章 薄膜淀积 第十章 刻蚀 第十一章第十一章 后段工艺与集成后段工艺与集成 1 第三章单晶生长和衬底制备 3.1 衬底材料衬底材料 3.2 单晶生长 3.3 衬底制备 3.4 晶体特性 3.5 晶体参数测量 2 3.1 衬底材料 微电子器件衬底材料的种类： 元素半导体元素半导体 （（如硅如硅、、锗锗）、）、化合物半导体化合物半导体 （（砷化镓砷化镓、、磷化铟磷化铟、、氮化氮化 镓、碳化硅）和绝缘体 （蓝宝石、尖晶石） 结构结构、、组成各有不同特点组成各有不同特点；； • 导电类型：N 型与P 型都易制备； 不承担器件或电路的电子功能； • 电阻率：0.01~105 Ω·cm，均匀性好； 品质高低对器件性能有很大影响品质高低对器件性能有很大影响。。• 寿命寿命 （（少数载流子少数载流子）：）：晶体管晶体管— 长寿长寿 命, 开关器件— 短寿命； • 晶格完整性：低位错（ 1000 /cm2 ）； • 纯度纯度：：电子级电子级—1010−99 杂质杂质；； 选择和制备低成本、高用量的优良衬 • 晶向：双极器件111, MOS 100； 底材料底材料，，对微电子工业至关重要对微电子工业至关重要！！ • 直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。 3 Si 的基本特性: 间接带隙半导体，禁带宽度E =1.12eV g 相对介电常数：ε =11.9 r ° 熔点：1417 C；工作温度：150°C； 本征载流子浓度：n =1.45 × 1010 cm−3 i 55 本征电阻率本征电阻率：：ρ=22.33 × 1010 ΩΩ·cm 2 电子迁移率：μ =1500 cm /Vs ； e 2 空穴迁移率空穴迁移率：：μμ =45050 ccm /V/V hh ss Ge的基本特性： 在半导体器件上的应用已大部分被硅取在半导体器件上的应用已大部分被硅取 禁带宽度：0.66eV； 代，仅在高频大功率器件有一定用量， 工作温度：75°C；